CJ2307-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

本文介绍了VBsemi品牌的CJ2307-VB场效应晶体管,其具备P-Channel沟道、SOT23封装,适用于电源管理、电流控制和功率逆变等场景,强调了高电压耐受、低阈值电压和紧凑封装的特色。设计时需根据具体应用调整工作参数并参考产品手册。
摘要由CSDN通过智能技术生成

型号:CJ2307-VB
丝印:VB2355
品牌:VBsemi
封装:SOT23

**详细参数说明:**
- 沟道类型:P—Channel
- 最大承受电压:-30V
- 最大电流:-5.6A
- 开态电阻(RDS(ON)):47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):-1V

**应用简介:**
CJ2307-VB是VBsemi品牌推出的P—Channel沟道场效应晶体管,采用SOT23封装,具有卓越的电气性能,适用于多种电子应用场景。

**应用领域:**
1. **电源管理:** 适用于电源开关和管理电路,能够提供高效的电能转换。
2. **电流控制模块:** 可作为电流控制模块的关键组件,确保电流输出的精准稳定。
3. **功率逆变器:** 在功率逆变器中发挥重要作用,实现高效的功率逆变。

**特色功能:**
- 高承受电压,适用于多种电源设计。
- 低阈值电压,有助于灵活应用于不同电子设备。
- 紧凑的SOT23封装,适用于空间有限的设计。

**注意事项:**
在设计中,请根据实际应用场景和电路需求合理配置工作参数。详细的电性能曲线和工作条件,请参考产品数据手册。

以上信息供参考,具体的电路设计和应用需根据实际情况调整。

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