EMF50N03J-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

于 2024-03-19 10:58:57 发布
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分类专栏： MOSFET mosfet参数解析 文章标签： VBsemi MOSFET MOS管
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本文链接：https://blog.csdn.net/VBsemi_MOS/article/details/136835807
版权

产品型号: EMF50N03J-VB
丝印: VB1330
品牌: VBsemi
参数: 
- 封装类型: SOT23
- 沟道类型: N—Channel
- 最大漏极电压: 30V
- 最大漏极电流: 6.5A
- 开启电阻: RDS(ON) = 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = 1.2~2.2V

应用简介:
EMF50N03J-VB是一款N—Channel沟道的SOT23封装场效应晶体管。其特点包括在VGS=10V和VGS=20V时的低漏电阻，适用于需要N—Channel沟道场效应晶体管的电路。

主要应用领域:
该产品适用于各种电子设备和模块，特别是在需要N—Channel沟道场效应晶体管的电路中。常见应用领域包括功率放大器、开关电源、电源管理等。

请注意: 在使用该产品时，请仔细阅读其数据手册以确保正确的使用和应用。

VBsemi_MOS
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