MI4807-VB一款SOP8封装2个P—Channel场效应MOS管

型号：MI4807-VB  
丝印：VBA4338  
品牌：VBsemi  

参数：
- 2个P-Channel沟道
- 最大耐压：-30V
- 最大漏极电流：-7A
- 典型导通电阻：35mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压：-1.5V

封装：SOP8  

详细参数说明：
MI4807-VB是一款P-Channel MOSFET，具有两个沟道，适用于负载开关和功率管理应用。其最大耐压达到-30V，最大漏极电流为-7A，具有低导通电阻，典型值为35mΩ。此外，阈值电压为-1.5V，适用于低压驱动应用。该器件采用SOP8封装，具有良好的散热性能和高密度集成特性。

应用简介：
MI4807-VB适用于各种需要P-Channel MOSFET的应用场景，特别适用于负载开关和功率管理领域。例如，可用于电源管理模块中的功率开关电路、直流-直流转换器、电池充放电管理等。另外，由于其性能优越，还可广泛应用于便携式设备、汽车电子、工业自动化等领域的功率控制电路中，以提高系统的效率和性能。