MTB095N10KRN3-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管

**VBsemi MTB095N10KRN3-VB 产品详细参数说明和应用简介**

**型号：** MTB095N10KRN3-VB

**丝印：** VB1101M

**品牌：** VBsemi

**参数：**
- 封装：SOT23
- 沟道类型：N—Channel
- 最大工作电压：100V
- 最大电流：4.3A
- 开态电阻：RDS(ON)=120mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压：Vth=1.2~2.8V

**应用简介：**
MTB095N10KRN3-VB是VBsemi推出的N—Channel沟道器件，采用SOT23封装。具有最大100V的工作电压、最大4.3A的电流承受能力，以及在不同电压下低开态电阻的特性。

**适用领域和模块举例：**
1. **电源管理模块：** 适用于电源管理模块中的负载开关设计，可用于稳压器、DC-DC转换器等电源管理电路中，实现高效的电源控制。

2. **电池保护模块：** 在电池保护电路中，MTB095N10KRN3-VB可作为电池保护模块的负载开关，确保电池在不同工作状态下的安全运行。

3. **LED驱动模块：** 作为N—Channel沟道器件，适用于LED照明电路的负载开关，可用于LED驱动模块，提高LED的驱动效率。

4. **电机驱动模块：** 在电机控制领域，MTB095N10KRN3-VB可用于电机驱动模块，实现电机的高效控制和功率调节。

总体而言，MTB095N10KRN3-VB适用于需要N—Channel沟道器件的多种电子模块，特别在电源管理、电池保护、LED驱动和电机驱动等领域都具有广泛的应用潜力。