VBsemi_微碧半导体-CSDN博客

原创 17N80C3-VB TO220一款N-Channel沟道TO220封装的场效应MOS管

*17N80C3-VB TO220**是一款单N沟道MOSFET，具有高漏极-源极电压和低导通电阻，适用于要求高电压和电流的功率电子应用。- **导通电阻 (RDS(ON))**：240mΩ @ VGS=10V。- **漏源电压 (VDS)**：800V。- **栅源电压 (VGS)**：±30V。- **阈值电压 (Vth)**：3.5V。- **技术**：SJ_Multi-EPI。- **漏极电流 (ID)**：20A。- **封装类型**：TO220。- **配置**：单N沟道。

2024-07-29 10:48:44 122

原创 17N62K3-VB TO247一款N-Channel沟道TO247封装的场效应MOS管

在工业设备和高压电源系统中，17N62K3-VB TO247可以用作开关器件，用于控制和管理电源。- **导通电阻（RDS(ON)）**：430mΩ @ VGS = 10V。- **型号**：17N62K3-VB TO247。- **漏源电压（VDS）**：650V。- **栅源电压（VGS）**：±30V。- **阈值电压（Vth）**：3.5V。- **漏极电流（ID）**：18A。- **技术**：Plannar。- **封装**：TO247。- **配置**：单N沟道。### 应用领域和模块示例。

2024-07-29 10:47:44 109

原创 17N62K3-VB TO220F一款N-Channel沟道TO220F封装的场效应MOS管

在工业控制领域，17N62K3-VB可用于开关电源和驱动电路，支持高电压和高电流的应用，如工业自动化设备和电机控制。- 在电动车充电器中，17N62K3-VB可以用作开关元件，支持高电压和高电流，确保充电器的安全性和稳定性。- **栅极-源极电压 (VGS)**：30V（±）- **漏极-源极电压 (VDS)**：650V。- **漏极电流 (ID)**：20A。**型号：17N62K3-VB**- **封装形式**：TO220F。- **技术**：Plannar。- **配置**：单N沟道。

2024-07-29 10:45:58 226

原创 17AFN8205STS6RG-VB一款N+N-Channel沟道SOT23-6封装的场效应MOS管

17AFN8205STS6RG-VB SOT23-6 MOSFET 具有双 N+N-Channel 结构，可适用于多种双极性电流控制和功率管理应用，是各类便携式电子产品和功率控制系统的理想选择。- 用于小型电动工具和玩具中的电机驱动控制，提供高效的电流管理和功率输出。- 用于汽车电子系统中的电源管理和驱动控制，提供稳定的电流输出和保护功能。- 适用于汽车灯具和车载设备中的功率控制，提供高效的能量转换和稳定性能。- 适用于智能插座和开关中的电源管理，提供高效的电流控制和保护功能。

2024-07-29 10:45:03 178

原创 170N04N-VB一款N-Channel沟道TO252封装的场效应MOS管

通过这些应用实例，可以看出170N04N-VB TO252 MOSFET在多个领域和模块上都能提供高效能的功率开关解决方案，满足不同应用场景的需求。- 在工业控制系统中，可用于各种功率开关模块，如变频器和伺服驱动器，提供稳定的电流控制和高效的能量转换。**栅源电压 (VGS)：** 20（±V）**漏源电压 (VDS)：** 40V。**导通电阻 (RDS(ON))：****封装类型：** TO252。1. **电源逆变器：**2. **电动汽车控制：**5. **电源管理系统：**

2024-07-29 10:43:50 160

原创 16NS25-VB一款N-Channel沟道TO263封装的场效应MOS管

*16N50L-TF3-T-VB**是一款由VBsemi生产的单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。- **导通电阻（RDS(ON)）**：260mΩ @ VGS=10V。- **型号**：16N50L-TF3-T-VB。- **最大漏源电压（VDS）**：550V。- **最大栅源电压（VGS）**：±30V。- **最大漏极电流（ID）**：18A。- **阈值电压（Vth）**：3V。- **技术**：Plannar。- **封装**：TO220F。- **配置**：单N沟道。

2024-07-29 10:40:02 204

原创 16NF25-VB TO252一款N-Channel沟道TO252封装的场效应MOS管

1. **电源模块**：由于16NF25-VB具有适中的漏极-源极电压和较低的导通电阻，适用于各种电源模块，包括开关电源和逆变器，能够提供高效的功率转换。3. **电动工具**：在电动工具中，16NF25-VB可以用作电机的开关元件，帮助实现高功率和高效率的电动工具设计。4. **汽车电子**：在汽车电子系统中，这款MOSFET可以用于电动汽车的电动驱动系统，提供高效的功率控制和转换。5. **太阳能逆变器**：用于太阳能逆变器中的开关电源和逆变器控制，可实现太阳能电能的高效转换。- **技术**：沟道。

2024-07-29 10:38:58 101

原创 16NF25-VB TO220一款N-Channel沟道TO220封装的场效应MOS管

16NF25-VB TO220 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，具有250V 的漏极-源极电压（VDS），20V（±V）的栅极-源极电压（VGS），和3.5V 的阈值电压（Vth）。3. **逆变器模块**：在需要中等功率密度和可靠性的应用中，如太阳能逆变器、消费电子产品等领域，16NF25-VB TO220 可以作为功率开关器件的一部分。1. **电源模块**：16NF25-VB TO220 可以用作中功率电源开关，适用于需要中等功率的应用，如工业电源、通信设备等。**适用领域和模块示例：**

2024-07-29 10:37:35 267

原创 16N65M5-VB一款N-Channel沟道TO263封装的场效应MOS管

2. **电动汽车充电桩：** 这款MOSFET可以用于电动汽车充电桩中的开关电源，其高漏极-源极电压和漏极电流能够支持快速充电和高效率。3. **太阳能逆变器：** 在太阳能逆变器中，16N65M5-VB可以用作高性能的开关器件，提供稳定的电能转换。1. **电源转换器：** 16N65M5-VB适用于高效率的电源转换器模块，如服务器电源、通信设备和工业电源。- **VDS（漏极-源极电压）：** 650V。- **VGS（栅极-源极电压）：** ±30V。- **Vth（门阈电压）：** 3.5V。

2024-07-29 10:36:36 156

原创 16N65M5-VB TO247一款N-Channel沟道TO247封装的场效应MOS管

VBsemi 16N65M5-VB TO247 是一款高性能的单N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），采用SJ_Multi-EPI 技术，具有高电压耐受和低导通电阻的特性，适用于高功率应用。总之，VBsemi 16N65M5-VB TO247 MOSFET 适用于各种高功率高压应用，具有优异的性能和稳定性，是工业、电源管理和电动车充电桩等领域的理想选择。在电动车充电桩中，该型号MOSFET可用于高功率控制和电池管理系统，具有高效率和高功率处理能力，确保充电桩的稳定性和安全性。

2024-07-29 10:34:34 290

原创 16N65M5-VB TO220F一款N-Channel沟道TO220F封装的场效应MOS管

*16N65M5-VB TO220F**是一款单N沟道MOSFET，具有高漏极-源极电压和低导通电阻，适用于要求高电压和电流的功率电子应用。- **导通电阻 (RDS(ON))**：320mΩ @ VGS=10V。- **漏源电压 (VDS)**：650V。- **栅源电压 (VGS)**：±30V。- **阈值电压 (Vth)**：3.5V。- **漏极电流 (ID)**：20A。- **封装类型**：TO220F。- **配置**：单N沟道。- **技术**：平面技术。### 详细参数说明。

2024-07-29 10:33:01 101

原创 16N65M5-VB TO220一款N-Channel沟道TO220封装的场效应MOS管

VBsemi的16N65M5-VB TO220是一款高性能单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，具有较高的漏源电压和较低的导通电阻。- **型号**：16N65M5-VB TO220。- **技术**：SJ_Multi-EPI。- **漏源电压（VDS）**：650V。- **栅源电压（VGS）**：±30V。- **阈值电压（Vth）**：3.5V。- **漏极电流（ID）**：20A。- **封装**：TO220。- **配置**：单N沟道。### 应用领域和模块示例。

2024-07-29 10:31:18 62

原创 16N60E-VB一款N-Channel沟道TO220F封装的场效应MOS管

在工业控制领域，16N60E-VB可用于开关电源和驱动电路，支持高电压和高电流的应用，如工业自动化设备和电机控制。- 在电动车充电器中，16N60E-VB可以用作开关元件，支持高电压和高电流，确保充电器的安全性和稳定性。- **栅极-源极电压 (VGS)**：30V（±）- **漏极-源极电压 (VDS)**：650V。- **漏极电流 (ID)**：20A。- **封装形式**：TO220F。**型号：16N60E-VB**- **技术**：Plannar。- **配置**：单N沟道。

2024-07-29 10:30:18 131

原创 16N50W-VB一款N-Channel沟道TO3P封装的场效应MOS管

16N50W-VB TO3P MOSFET 具有高压承载能力和稳定的性能，适用于各种高压高功率应用场景，是电力电子系统和工业控制系统的理想选择。- 用于医疗成像设备和电子治疗设备中的电源管理和开关控制，提供稳定的电流输出和控制功能。- 用于工业机器人和自动化设备中的电源管理和开关控制，提供高效的电流管理和控制功能。- 适用于电动汽车充电桩和能量回馈系统中的电源管理，提供稳定的能量转换和控制功能。- 适用于太阳能和风能系统中的电力转换和管理，提供高效的能量转换和控制功能。

2024-07-29 10:29:18 160

原创 16N50U-VB一款N-Channel沟道TO220F封装的场效应MOS管

通过这些应用实例，可以看出16N50U-VB TO220F MOSFET在多个领域和模块上都能提供高效能的功率开关解决方案，满足不同应用场景的需求。- 由于其高漏源电压和低导通电阻特性，适用于工业和家庭用途的电源逆变器中，可提供高效的能量转换和稳定的电源输出。- 在工业控制领域中，可用于各种功率转换模块，如变频器和伺服驱动器，提供稳定的电流控制和高效的能量转换。- 适用于电动汽车充电桩中的功率开关模块，支持高电压和大电流的转换，提供安全可靠的充电功能。**漏源电压 (VDS)：** 550V。

2024-07-29 10:26:48 183

原创 160N10NS3-VB一款N-Channel沟道DFN8(5X6)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

VBsemi的160N10NS3-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于高压、高功率的电源开关和控制应用。- 在高功率电源开关系统中，160N10NS3-VB可用于高压电源控制和稳定，确保高效能量转换和电源管理。- **型号**: 160N10NS3-VB。- **阈值电压（Vth）**: 2.5V。- **连续导通电流（ID）**: 65A。- **封装**: DFN8(5X6)- **技术**: Trench。- **配置**: 单N沟道。### 应用领域和模块举例。

2024-07-26 10:52:57 398

原创 160N04L-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

该MOSFET也适用于消费电子产品中的功率控制模块，如电源适配器、电池管理系统等，提供稳定的电能转换和控制功能，确保产品的安全和稳定性。- 在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载电子设备中的功率开关模块，提供高效的电能转换，确保车载电子设备的稳定性和可靠性。- 在电动工具中，160N04L-VB 可用于电机驱动电路，提供高效的电流控制和能量转换，确保电动工具的高性能和长寿命。| **参数** | **值** |

2024-07-26 10:51:57 381

原创 16010ALZ-VB一款N-Channel沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**优势**: 低导通电阻和高漏源电压能力，提供高效的LED驱动功能。- **优势**: 高性能和可靠性，确保电源管理系统的稳定和高效工作。- **优势**: 高可靠性和稳定性，适应汽车环境中的高温和高压需求。- **应用**: 适用于便携式电子设备中的电源管理和电池保护电路。- **应用**: 用于汽车电子系统中的电机驱动器和电池管理系统。- **应用**: 适用于低功率电源管理系统中的开关和调节器。- **应用**: 用于LED照明系统中的开关和调光器。- **型号**: 16010ALZ-VB。

2024-07-26 10:50:41 223

原创 1600N10ALZD-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**模块**：在高压通信设备中，1600N10ALZD-VB可用作功率放大器或开关器件，提供稳定的功率输出和高效的能量转换。- **模块**：1600N10ALZD-VB可用于电动汽车的电机驱动模块中，提供高效的电流控制和稳定的运行。- **模块**：1600N10ALZD-VB可作为高压开关元件，提供稳定的电源转换和高效的电流控制。- **领域**：适用于高压DC-DC转换器、AC-DC电源、UPS电源等。- **领域**：高频通信设备、基站设备等。- **型号**：1600N10ALZD-VB。

2024-07-26 10:49:40 281

原创 15T03GH-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

以上是15T03GH-VB在各个领域和模块中的应用示例，其高性能和可靠性使其成为众多高功率处理应用的首选。- **最大栅源电压 (VGS)：** ±20V。- **栅源阈值电压 (Vth)：** 1.7V。- **最大漏源电压 (VDS)：** 30V。- **最大漏极电流 (ID)：** 70A。- **导通电阻 (RDS(ON))：**- **技术类型：** Trench。**型号：15T03GH-VB**- **封装：** TO252。- **配置：** 单N沟道。**电动汽车驱动**

2024-07-26 10:48:31 215

原创 15P15GI-VB一款P-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

1. **汽车电子模块**：适用于汽车电子控制单元（ECU）、车灯控制器和电动窗控制器等汽车电子模块，提供高效、可靠的电源开关和控制功能。3. **电源逆变器模块**：适用于家庭电器、UPS系统和太阳能逆变器等设备中的电源逆变器模块，提供稳定的电力转换和高效的能源利用率。- **示例**：在工业机器人控制器中，15P15GI-VB可用作开关元件，确保机器人的准确运行和稳定性能。- **示例**：在汽车ECU中，15P15GI-VB可用作电源开关，确保ECU的稳定运行和高效能。- **配置**：单P通道。

2024-07-26 10:47:31 261

原创 15P15GH-VB一款P-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

1. **电源管理模块**：由于其负向的漏极-源极电压特性，15P15GH-VB TO252 可以应用于需要负向电压控制的电源管理模块中，如负向电压稳压器等。3. **逆变器**：在逆变器中，15P15GH-VB TO252 可以应用于负向逆变器电路中，将正向电压转换为负向电压输出，适用于特定的逆变器设计需求。5. **医疗设备**：一些医疗设备需要负向电压控制，15P15GH-VB TO252 可以应用于这些设备的电路设计中，确保稳定可靠的负向电压输出。- **ID（漏极电流）**: -15A。

2024-07-26 10:42:41 196

原创 15P10-VB一款P-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

15P10-VB 是一款单通道 P 沟道 MOSFET，具有 -100V 的漏极-源极电压（VDS），20V 的门极-源极电压（VGS，±V），以及 -2V 的门极阈值电压（Vth）。- **电源开关模块：** 由于其高漏极-源极电压和低导通电阻，15P10-VB 可以用作电源开关模块中的开关器件，适用于各种 DC-DC 变换器和开关电源。- **LED 驱动模块：** 15P10-VB 的高性能特性使其非常适合用于 LED 驱动模块中的开关器件，能够提供高效率和可靠性的 LED 驱动解决方案。

2024-07-26 10:40:47 169

原创 15P10P-VB TO252一款P-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

1. **电源开关**: 15P10P-VB 在需要负向电压的电源开关中具有良好的性能，可用于电源逆变器、直流-直流转换器等。3. **电池管理**: 15P10P-VB 在需要对负向电压进行管理的电池管理系统中表现出色，如电池保护、充放电控制等。2. **电源逆变器**: 在需要负向电压的高效逆变器中，15P10P-VB 可以用作功率开关元件，提供高效的电能转换。- **漏极-源极电压 (VDS)**: -100V。- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V。- **包装**: TO252。

2024-07-26 10:39:22 121

原创 15P10P-VB TO220一款P-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

在电机驱动系统中，15P10P-VB可以用作电机控制的开关元件，确保电机的正常运行和高效能量转换。- **型号**: 15P10P-VB TO220。- **漏源电压 (VDS)**: -100V。- **栅源电压 (VGS)**: ±20V。- **连续漏电流 (ID)**: -23A。- **阈值电压 (Vth)**: -2V。- **封装**: TO220。- **配置**: 单P沟道。- **技术**: 沟槽型。### 应用领域和模块举例。

2024-07-26 10:37:37 293

原创 15P10PL-VB TO252一款P-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

总的来说，VBsemi的15P10PL-VB TO252 MOSFET是一款多功能、高性能的电子器件，适用于各种需要负电压控制和电源开关的应用场景。- 15P10PL-VB可用于负电压开关电源系统中的电流控制和电源管理，确保系统的稳定性和可靠性。- **型号**: 15P10PL-VB TO252。- **连续导通电流（ID）**: -16A。- **阈值电压（Vth）**: -2V。- **技术**: Trench。- **封装**: TO252。- **配置**: 单P沟道。

2024-07-26 10:36:27 278

原创 15P10PL-VB TO220一款P-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

15P10PL-VB 也可应用于电动汽车充电桩中，作为直流充电桩的功率开关模块，提供高效的电能转换，确保充电桩的高效率和可靠性。- 在电动工具中，15P10PL-VB 可用于电机驱动电路，提供高效的电流控制和能量转换，确保电动工具的高性能和长寿命。- 在电源开关中，该MOSFET可用于开关电源的功率开关模块，提供高效的电能转换和控制，确保电源开关的稳定性和可靠性。| **参数** | **值** |### 三、应用领域和模块举例。

2024-07-26 10:35:03 260

原创 15P10GS-VB一款P-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**优势**: 负向漏源电压能力和低导通电阻，提供高效的功率因数校正功能。- **优势**: 负向漏源电压能力和低导通电阻，提供高效的电动汽车充电功能。- **优势**: 高性能和可靠性，确保LED照明系统的稳定和节能运行。- **应用**: 适用于逆变器和变频器中的开关和调节器。- **应用**: 适用于LED照明系统中的开关和调光器。- **应用**: 用于电动汽车充电桩中的开关和控制器。- **漏源电压 (VDS)**: -100V。- **型号**: 15P10GS-VB。

2024-07-26 10:33:50 304

原创 15P10GP-VB一款P-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**模块**：在负压高效能家用电器中，15P10GP-VB可用作负压电源控制模块，提供高效的电源管理和稳定的运行。- **模块**：在汽车电子系统中，15P10GP-VB可用于负压电源管理模块，提供高效的电源管理和稳定的运行。- **模块**：15P10GP-VB可作为负压开关元件，提供稳定的电源转换和高效的电流控制。- **领域**：汽车电子系统中的负压电源管理、电动汽车的电池管理系统等。- **领域**：适用于负压DC-DC转换器、负压AC-DC电源等。- **型号**：15P10GP-VB。

2024-07-26 10:25:09 163

原创 15NM65N-VB TO220F一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

其高漏源电压和低导通电阻使其成为这些系统中的关键部件，确保了系统的高效能和稳定性。以上是15NM65N-VB TO220F在各个领域和模块中的应用示例，其高性能和可靠性使其成为众多高电压处理应用的首选。- **导通电阻 (RDS(ON))：** 320mΩ @ VGS=10V。**型号：15NM65N-VB TO220F**- **最大漏源电压 (VDS)：** 650V。- **最大栅源电压 (VGS)：** ±30V。- **栅源阈值电压 (Vth)：** 3.5V。- **封装：** TO220F。

2024-07-26 10:22:12 120

原创 15N3L-VB一种N-Channel沟道DFN8(5X6)封装MOS管

在电动汽车的电机控制模块中，15N3L-VB可用于电流控制和电源管理，确保汽车的高效性能和稳定性。- 作为开关电源的一部分，15N3L-VB可用于DC-DC转换，提供高效的电源转换和稳定的输出电压。- **连续导通电流（ID）**: 120A。- **阈值电压（Vth）**: 1.7V。- **封装**: DFN8(5X6)- **型号**: 15N3L-VB。- **技术**: Trench。- **配置**: 单N沟道。### 应用领域和模块举例。

2024-07-25 10:36:57 278

原创 15N20-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

在汽车电子领域，15N20-VB 可用于电动汽车的电池管理系统（BMS）、电动助力转向（EPS）和其他需要高效能和高可靠性的功率转换模块。- 在太阳能发电系统中，15N20-VB 可用于太阳能逆变器中，负责将直流电转换为交流电，其高效能和低损耗特点使其成为理想的选择。- 在电动工具中，该MOSFET可用于电机驱动电路，提供高效的电流控制和能量转换，确保电动工具的高性能和长寿命。| **参数** | **值** |

2024-07-25 10:35:55 326

原创 15N20L-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

**优势**: 高电流承载能力和低导通电阻，提供稳定的电力输出，增强电动汽车的性能和续航能力。- **优势**: 高漏源电压和低导通电阻，适合在高电压环境下稳定工作，提高电能转换效率。- **优势**: 可靠性高，适应工业环境中的高温和高电压需求，保证设备的稳定运行。- **优势**: 高效率和可靠性，确保太阳能电池板转换的电能最大化，降低能源损失。- **应用**: 用于开关电源、逆变器和直流电机驱动器等高电压应用中。- **型号**: 15N20L-VB。- **技术**: Trench。

2024-07-25 10:34:44 358

原创 15N20L-TN3-T-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

**模块**：在高压电源管理系统中，15N20L-TN3-T-VB可用作电源控制模块，提供高效的电源管理和稳定的运行。- **模块**：在电动汽车中，15N20L-TN3-T-VB可用于电机驱动模块，提供高效的电流控制和快速开关性能。- **模块**：该MOSFET可以作为开关元件，因其高漏源电压和低导通电阻，适用于高压高效能的电源管理系统。- **领域**：用于高压DC-DC转换器、AC-DC电源、UPS电源等。- **型号**：15N20L-TN3-T-VB。- **技术**：Trench。

2024-07-25 10:33:35 253

原创 15N20L-TN3-R-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

在电动汽车充电桩中，15N20L-TN3-R-VB 可以用作电源开关，控制充电桩的输出电压和电流。在消费电子产品中，15N20L-TN3-R-VB 适用于高性能电源管理系统和DC-DC转换器。以上是15N20L-TN3-R-VB 在各个领域和模块中的应用示例，其高性能和可靠性使其成为众多高功率处理应用的首选。- **最大漏源电压 (VDS)：** 200V。- **最大栅源电压 (VGS)：** ±20V。**型号：15N20L-TN3-R-VB**- **封装：** TO252。**电动汽车驱动**

2024-07-25 10:31:18 161

原创 15N10-VB TO252一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

1. **电源逆变器模块**：适用于家庭电器、UPS系统和太阳能逆变器等设备中的电源逆变器模块，提供稳定的电力转换和高效的能源利用率。- **示例**：在工业控制设备中，15N10-VB可用作稳压器模块的功率开关，确保设备的稳定运行和高效能。- **示例**：在电动汽车充电桩中，15N10-VB可用作充电器的功率开关，确保充电效率高、稳定性能好。3. **高压直流稳压器模块**：适用于工业控制和电信设备中的高压直流稳压器模块，提供可靠的稳压和电流控制。- **封装形式**：TO252。

2024-07-25 10:27:39 244

原创 15N10-VB TO251一种N-Channel沟道TO251封装MOS管

5. **汽车电子**：在汽车电子系统中，15N10-VB TO251 可以应用于电动汽车的电池管理系统、发动机控制系统等，提供稳定的电源和高效的能量转换。3. **LED 照明**：LED 驱动需要高效能的电路，15N10-VB TO251 可以作为 LED 驱动电路中的功率开关，提供稳定的电流和亮度控制。2. **电机驱动**：在需要高效能的电机驱动模块中，15N10-VB TO251 可以作为电机的功率开关，确保电机正常运行并提高效率。- **VDS（漏极-源极电压）**: 100V。

2024-07-25 10:26:05 264

原创 15N07-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

**电机驱动模块：** 由于其高漏极电流能力和低导通电阻，15N07-VB 可以用作电机驱动器模块中的开关器件，适用于各种电机驱动应用，如风扇、泵和电机控制系统。- **电源管理模块：** 15N07-VB 的低导通电阻和高漏极电流特性使其非常适合用于电源管理模块中的开关电路，如 DC-DC 变换器和开关稳压器。- **照明控制模块：** 15N07-VB 的高性能特性使其非常适合用于 LED 照明控制模块中的开关器件，能够提供高效率和可靠性的照明控制解决方案。- **ID（漏极电流）：** 18A。

2024-07-25 10:23:01 110

原创 15N06L-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

3. **逆变器**: 逆变器需要高效的功率开关，15N06L-VB 可以在逆变器中发挥作用，提供高效的电能转换。1. **电源管理模块**: 15N06L-VB 可用于开关电源和稳压器中，提供高效能的电源管理功能。2. **马达控制**: 在电机驱动器中，15N06L-VB 能够提供高效的电机控制，减少能量损耗。- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V。- **漏极-源极电压 (VDS)**: 60V。- **包装**: TO252。- **技术**: 沟槽工艺。### 适用领域和模块示例。

2024-07-25 10:19:22 231

原创 15N06L-TN3-T-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

工业自动化系统中需要高性能和可靠性的组件，15N06L-TN3-T-VB的低导通电阻和高电流处理能力使其成为工业控制应用的理想选择，例如在变频器和伺服驱动中应用。- 在汽车电子系统中，如电动窗、座椅调节和电动转向系统，15N06L-TN3-T-VB可以提供高效的电流控制和保护，确保系统的可靠性和性能。- 在开关电源中，15N06L-TN3-T-VB可用于高效DC-DC转换器，其低导通电阻和高开关速度使得电源转换效率更高，热管理更简单。- **型号**: 15N06L-TN3-T-VB。

2024-07-25 10:18:14 291

17N80C3-VB TO220一款N-Channel沟道TO220封装的场效应MOS管

17N80C3-VB TO220；Package：TO220；Configuration：Single-N-Channel；VDS：800V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=240mΩ@VGS=10V；ID：20A；Technology：SJ_Multi-EPI；

2024-07-29

17N62K3-VB TO247一款N-Channel沟道TO247封装的场效应MOS管

17N62K3-VB TO247；Package：TO247；Configuration：Single-N-Channel；VDS：650V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=430mΩ@VGS=10V；ID：18A；Technology：Plannar；

2024-07-29

17N62K3-VB TO220F一款N-Channel沟道TO220F封装的场效应MOS管

17N62K3-VB TO220F；Package：TO220F；Configuration：Single-N-Channel；VDS：650V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=320mΩ@VGS=10V；ID：20A；Technology：Plannar；

2024-07-29

17AFN8205STS6RG-VB一款N+N-Channel沟道SOT23-6封装的场效应MOS管

17AFN8205STS6RG-VB；Package：SOT23-6；Configuration：Dual-N+N-Channel；VDS：20V；VGS：20（±V）；Vth：0.5~1.5V；RDS(ON)=28mΩ@VGS=2.5V；RDS(ON)=24mΩ@VGS=4.5V；ID：6A；Technology：Trench；

2024-07-29

170N04N-VB一款N-Channel沟道TO252封装的场效应MOS管

170N04N-VB；Package：TO252；Configuration：Single-N-Channel；VDS：40V；VGS：20（±V）；Vth：2.5V；RDS(ON)=14mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V；ID：55A；Technology：Trench；

2024-07-29

16NS25-VB一款N-Channel沟道TO263封装的场效应MOS管

16NS25-VB；Package：TO263；Configuration：Single-N-Channel；VDS：250V；VGS：20（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=230mΩ@VGS=10V；ID：16A；Technology：Trench；

2024-07-29

16NF25-VB TO252一款N-Channel沟道TO252封装的场效应MOS管

16NF25-VB TO252；Package：TO252；Configuration：Single-N-Channel；VDS：250V；VGS：20（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=176mΩ@VGS=10V；ID：17A；Technology：Trench；

2024-07-29

16NF25-VB TO220一款N-Channel沟道TO220封装的场效应MOS管

16NF25-VB TO220；Package：TO220；Configuration：Single-N-Channel；VDS：250V；VGS：20（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V；ID：14A；Technology：Trench；

2024-07-29

16N65M5-VB一款N-Channel沟道TO263封装的场效应MOS管

16N65M5-VB；Package：TO263；Configuration：Single-N-Channel；VDS：650V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V；ID：20A；Technology：SJ_Multi-EPI；

2024-07-29

16N65M5-VB TO247一款N-Channel沟道TO247封装的场效应MOS管

16N65M5-VB TO247；Package：TO247；Configuration：Single-N-Channel；VDS：650V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V；ID：20A；Technology：SJ_Multi-EPI；

2024-07-29

16N65M5-VB TO220F一款N-Channel沟道TO220F封装的场效应MOS管

16N65M5-VB TO220F；Package：TO220F；Configuration：Single-N-Channel；VDS：650V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=320mΩ@VGS=10V；ID：20A；Technology：Plannar；

2024-07-29

16N65M5-VB TO220一款N-Channel沟道TO220封装的场效应MOS管

16N65M5-VB TO220；Package：TO220；Configuration：Single-N-Channel；VDS：650V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V；ID：20A；Technology：SJ_Multi-EPI；

2024-07-29

16N60E-VB一款N-Channel沟道TO220F封装的场效应MOS管

16N60E-VB；Package：TO220F；Configuration：Single-N-Channel；VDS：650V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=320mΩ@VGS=10V；ID：20A；Technology：Plannar；

2024-07-29

16N50W-VB一款N-Channel沟道TO3P封装的场效应MOS管

16N50W-VB；Package：TO3P；Configuration：Single-N-Channel；VDS：600V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=280mΩ@VGS=10V；ID：15A；Technology：SJ_Multi-EPI；

2024-07-29

16N50U-VB一款N-Channel沟道TO220F封装的场效应MOS管

16N50U-VB；Package：TO220F；Configuration：Single-N-Channel；VDS：550V；VGS：30（±V）；Vth：3V；RDS(ON)=260mΩ@VGS=10V；ID：18A；Technology：Plannar；

2024-07-29

160N10NS3-VB一款N-Channel沟道DFN8(5X6)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

160N10NS3-VB；Package：DFN8(5X6)；Configuration：Single-N-Channel；VDS：100V；VGS：20（±V）；Vth：2.5V；RDS(ON)=12.36mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V；ID：65A；Technology：Trench；

2024-07-26

160N04L-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

160N04L-VB；Package：TO252；Configuration：Single-N-Channel；VDS：40V；VGS：20（±V）；Vth：2.5V；RDS(ON)=14mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V；ID：55A；Technology：Trench；

2024-07-26

16010ALZ-VB一款N-Channel沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

16010ALZ-VB；Package：SOT223；Configuration：Single-N-Channel；VDS：100V；VGS：20（±V）；Vth：1.8V；RDS(ON)=120mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V；ID：5A；Technology：Trench；

2024-07-26

1600N10ALZD-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

1600N10ALZD-VB；Package：TO252；Configuration：Single-N-Channel；VDS：100V；VGS：20（±V）；Vth：1.8V；RDS(ON)=114mΩ@VGS=10V；ID：15A；Technology：Trench；

2024-07-26

15T03GH-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

15T03GH-VB；Package：TO252；Configuration：Single-N-Channel；VDS：30V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=9mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V；ID：70A；Technology：Trench；

2024-07-26

15P15GI-VB一款P-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

15P15GI-VB；Package：TO220F；Configuration：Single-P-Channel；VDS：-100V；VGS：20（±V）；Vth：-2V；RDS(ON)=230mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V；ID：-12A；Technology：Trench；

2024-07-26

15P15GH-VB一款P-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

15P15GH-VB；Package：TO252；Configuration：Single-P-Channel；VDS：-150V；VGS：20（±V）；Vth：-2V；RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V；ID：-15A；Technology：Trench；

2024-07-26

15P10-VB一款P-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

15P10-VB；Package：TO252；Configuration：Single-P-Channel；VDS：-100V；VGS：20（±V）；Vth：-2V；RDS(ON)=120mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V；ID：-16A；Technology：Trench；

2024-07-26

15P10P-VB TO252一款P-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

15P10P-VB TO252；Package：TO252；Configuration：Single-P-Channel；VDS：-100V；VGS：20（±V）；Vth：-2V；RDS(ON)=120mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V；ID：-16A；Technology：Trench；

2024-07-26

15P10P-VB TO220一款P-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

15P10P-VB TO220；Package：TO220；Configuration：Single-P-Channel；VDS：-100V；VGS：20（±V）；Vth：-2V；RDS(ON)=120mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V；ID：-23A；Technology：Trench；

2024-07-26

15P10PL-VB TO252一款P-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

15P10PL-VB TO252；Package：TO252；Configuration：Single-P-Channel；VDS：-100V；VGS：20（±V）；Vth：-2V；RDS(ON)=120mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V；ID：-16A；Technology：Trench；

2024-07-26

15P10PL-VB TO220一款P-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

15P10PL-VB TO220；Package：TO220；Configuration：Single-P-Channel；VDS：-100V；VGS：20（±V）；Vth：-2V；RDS(ON)=120mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V；ID：-23A；Technology：Trench；

2024-07-26

15P10GS-VB一款P-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

15P10GS-VB；Package：TO263；Configuration：Single-P-Channel；VDS：-100V；VGS：20（±V）；Vth：-2V；RDS(ON)=50mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V；ID：-37A；Technology：Trench；

2024-07-26

15P10GP-VB一款P-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

15P10GP-VB；Package：TO220；Configuration：Single-P-Channel；VDS：-100V；VGS：20（±V）；Vth：-2V；RDS(ON)=178mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=167mΩ@VGS=10V；ID：-18A；Technology：Trench；

2024-07-26

15NM65N-VB TO220F一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

15NM65N-VB TO220F；Package：TO220F；Configuration：Single-N-Channel；VDS：650V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=320mΩ@VGS=10V；ID：20A；Technology：Plannar；

2024-07-26

15N3L-VB一种N-Channel沟道DFN8(5X6)封装MOS管

15N3L-VB；Package：DFN8(5X6)；Configuration：Single-N-Channel；VDS：30V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=5mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V；ID：120A；Technology：Trench；

2024-07-25

15N20-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

15N20-VB；Package：TO252；Configuration：Single-N-Channel；VDS：200V；VGS：20（±V）；Vth：3V；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V；ID：30A；Technology：Trench；

2024-07-25

15N20L-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

15N20L-VB；Package：TO252；Configuration：Single-N-Channel；VDS：200V；VGS：20（±V）；Vth：3V；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V；ID：30A；Technology：Trench；

2024-07-25

15N20L-TN3-T-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

15N20L-TN3-T-VB；Package：TO252；Configuration：Single-N-Channel；VDS：200V；VGS：20（±V）；Vth：3V；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V；ID：30A；Technology：Trench；

2024-07-25

15N20L-TN3-R-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

15N20L-TN3-R-VB；Package：TO252；Configuration：Single-N-Channel；VDS：200V；VGS：20（±V）；Vth：3V；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V；ID：30A；Technology：Trench；

2024-07-25

15N10-VB TO252一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

15N10-VB TO252；Package：TO252；Configuration：Single-N-Channel；VDS：100V；VGS：20（±V）；Vth：1.8V；RDS(ON)=114mΩ@VGS=10V；ID：15A；Technology：Trench；

2024-07-25

15N10-VB TO251一种N-Channel沟道TO251封装MOS管

15N10-VB TO251；Package：TO251；Configuration：Single-N-Channel；VDS：100V；VGS：20（±V）；Vth：1.8V；RDS(ON)=110mΩ@VGS=10V；ID：15A；Technology：Trench；

2024-07-25

15N07-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

15N07-VB；Package：TO252；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=85mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V；ID：18A；Technology：Trench；

2024-07-25

15N06L-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

15N06L-VB；Package：TO252；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=85mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V；ID：18A；Technology：Trench；

2024-07-25

15N06L-TN3-T-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

15N06L-TN3-T-VB；Package：TO252；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=85mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V；ID：18A；Technology：Trench；

2024-07-25

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