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原创 IRFR1205NTRPBF-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

DS(ON)): 24mΩ @ VGS=10V;- 额定电压 (VDSS): 60V。- 门阈电压 (Vth

2024-10-09 11:38:23 234

原创 IRLR2905CPBF-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

DS(ON))**: 24mΩ (在VGS

2024-10-09 11:36:29 316

原创 IRLR4343TRPBF-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

IRLR4343TRPBF-VB 是 VBsemi 公司生产的 N-Channel 沟道场效应晶体管，具有60V的漏极-源极电压承受能力和45A的漏极电流。1. 电源管理模块：IRLR4343TRPBF-VB 适用于各种类型的电源管理模块，如开关电源、DC-DC 变换器等。其低漏极电阻和高漏极-源极电压能力使其在这些应用中具有优异的性能，能够有效地降低功率损耗并提高效率。4. 电源放大器：在音频设备和放大器中，IRLR4343TRPBF-VB 可以作为功率放大器的关键部件，提供高保真度和高功率输出。

2024-10-09 11:32:04 353

原创 IPD800N06N-G-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

4. **工业自动化和电力电子：** IPD800N06N-G-VB适用于工业自动化设备和电力电子模块，包括开关电源、逆变器和功率放大器。1. **电源管理系统：** IPD800N06N-G-VB可广泛应用于电源管理模块中，包括开关电源、DC-DC转换器和充电电路。2. **电动工具和家用电器：** 在电动工具和家用电器中，IPD800N06N-G-VB可用于电机驱动器、电源开关和电源管理模块。- **导通电阻（RDS(ON)）：** 在VGS=10V时，为24mΩ；在VGS=20V时，同样为24mΩ。

2024-10-09 11:30:02 276

原创 IPD800N06NG-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

5. **消费电子模块**: 在家用电器、移动充电器和无线充电器等消费电子产品中，IPD800N06NG-VB可用于功率开关和电源管理模块，提供高效的电能转换和稳定的电源输出。2. **电动车辆模块**: 在电动汽车、电动自行车和电动滑板车等电动车辆中，IPD800N06NG-VB可用于电机控制模块，帮助实现高效的电能转换和精确的电机控制。3. **工业自动化模块**: 在工业控制系统中，IPD800N06NG-VB可用于PLC、变频器、工业机器人等模块中的功率开关，提供可靠的功率控制和保护功能。

2024-10-09 11:26:39 288

原创 IPD640N06L-G-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

1. **电源模块：** IPD640N06L-G-VB 在高功率电源模块中有广泛应用，特别是在需要处理高电压和高电流的情况下。3. **导通电阻：** 24mΩ @ VGS=10V - 在特定工作条件下（VGS=10V），器件的导通电阻。4. **电源管理模块：** 该器件也适用于各种电源管理模块，例如直流-直流（DC-DC）转换器和开关稳压器，用于提供稳定的电压和电流给其他电子设备。2. **最大电流：** 45A - 可以通过该器件的最大电流，适用于需要高功率的场合。**品牌：** VBsemi。

2024-10-09 11:25:08 268

原创 IPD400N06N-G-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

在工业自动化、电动车辆和家用电器等领域，IPD400N06N-G-VB 可以作为驱动器和逆变器的关键组件，帮助实现能量有效管理和系统控制。例如，在服务器电源、工业电源和汽车电子中，它可以用作电源开关，提供高效的功率转换和可靠性。**IPD400N06N-G-VB** 是由品牌VBsemi生产的 N-Channel 沟道功率场效应晶体管（MOSFET）。这些只是 IPD400N06N-G-VB 在各个领域和模块中的一些典型应用，其高性能和多功能性使其成为许多电子系统中的关键部件。- 额定工作电压：60V。

2024-10-09 11:22:46 358

原创 IPD400N06NG-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

IPD400N06NG-VB 是由 VBsemi 公司生产的 N-Channel 沟道场效应晶体管，具有60V的漏极-源极电压承受能力和45A的漏极电流。其高漏极电流能力和低漏极-源极电阻可以确保电动汽车系统的高效率和可靠性。4. 高性能电源放大器：在音频设备和放大器中，IPD400N06NG-VB 可以作为功率放大器的关键部件，以提供高保真度和高功率输出。通过以上示例，可以看出 IPD400N06NG-VB 在多个领域和模块中都具有广泛的应用潜力，为各种功率电子设计提供了可靠的解决方案。

2024-10-09 11:19:35 197

原创 HUFA76413D3S-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

1. *电源管理模块：* HUFA76413D3S-VB的高电流承受能力和低导通电阻使其成为电源管理模块的理想选择。4. *汽车电子：* 由于其耐压和电流特性，HUFA76413D3S-VB可用于汽车电子系统中的各种应用，如发动机控制单元（ECU）、电动助力转向（EPAS）和车身电子模块。2. *电机驱动：* 由于其高电流承受能力，HUFA76413D3S-VB可用于驱动各种类型的电机，包括直流电机和步进电机。- 阈值电压（Vth）：1.8V。**详细参数说明：****产品应用举例：**

2024-10-08 11:25:56 398

原创 HUFA76413D3ST-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

综上所述，HUFA76413D3ST-VB在功率电子领域的各种应用中都有广泛的适用性，包括电源管理、电机驱动、电池保护和照明应用等领域，为这些领域提供可靠的性能和效率。1. 电源管理模块：HUFA76413D3ST-VB的高电流和低导通电阻使其非常适用于各种电源管理模块，如开关电源和稳压器。4. 照明应用：HUFA76413D3ST-VB可用于LED驱动器和其他照明应用，以实现高效能的功率控制。2. 电机驱动器：可用于驱动各种类型的电机，包括直流电机和步进电机，在工业自动化和机器人领域有广泛应用。

2024-10-08 11:24:21 222

原创 HUFA76409D3ST-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

1. **电机驱动**：HUFA76409D3ST-VB 在电机控制系统中具有广泛应用。3. **电池管理**：在电池充放电管理系统中，HUFA76409D3ST-VB 可以用于电池保护、充电和放电控制。4. **LED 驱动**：在 LED 照明系统中，该型号的 MOSFET 可用于 LED 驱动电路的设计。2. **开关电源**：在开关电源设计中，该型号的 MOSFET 能够提供可靠的功率开关和能源转换功能。- **电压额定值**：60V。- **电流额定值**：45A。

2024-10-08 11:23:06 359

原创 HUFA75429D3ST-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

1. **电源管理模块**：由于其高电流和低开态电阻特性，HUFA75429D3ST-VB适用于各种电源管理模块，如DC-DC变换器和开关稳压器，以提供高效的功率转换和稳定的输出。4. **LED照明**：在LED照明系统中，HUFA75429D3ST-VB可用于LED驱动器和调光控制器，实现高效的照明解决方案，并延长LED灯的寿命。2. **电动工具**：在电动工具中，这款场效应管可用于电池管理系统和功率控制电路，实现高功率密度和可靠性，使得电动工具具有更长的工作时间和更高的性能。- 最大耐压：60V。

2024-10-08 11:21:48 423

原创 HUFA75329D3S-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

1. **电源模块**：HUFA75329D3S-VB适用于各种电源模块，如开关稳压器（Switching Regulators）和直流-直流转换器（DC-DC Converters）。3. **LED照明**：HUFA75329D3S-VB还适用于LED照明应用，可用作LED驱动器中的功率开关，确保LED灯具的稳定供电和高效的工作。2. **电机驱动器**：在电机控制领域，这款MOSFET可用于电机驱动器中的功率开关电路，例如用于控制电动汽车的电机，以实现高效的电动汽车驱动。**适用领域和模块示例：**

2024-10-08 11:20:08 392

原创 HUFA75329D3ST-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

1. 电源管理模块：由于其较高的漏极-源极电压和电流承受能力，HUFA75329D3ST-VB适用于电源开关模块和电源管理系统，用于实现高效率和高功率密度的能量转换。3. 工业自动化设备：在工业自动化设备中，HUFA75329D3ST-VB可用于开关电路和电源管理，实现精确的控制和高效的能量转换，用于提高生产效率和降低能源消耗。2. 电动汽车控制器：在电动汽车的电机控制器中，该器件可用作功率开关元件，用于控制电机的启停和转速，提高电动汽车的效率和性能。- 最大漏极-源极电压（VDSS）：60V。

2024-10-08 11:18:56 290

原创 HUFA75321D3S-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

3. **电动车电池管理系统（BMS）：** 电动车电池管理系统需要控制和保护电池，而HUFA75321D3S-VB的低导通电阻和高电压承受能力使其成为BMS模块中的一部分，用于电池的保护和管理。1. **电源模块：** HUFA75321D3S-VB的高漏极电流承受能力和低导通电阻使其成为电源模块中的理想选择，特别是在高性能、高效率的电源设计中。2. **电机驱动：** 由于其能够承受较高电流和电压，因此在电机驱动模块中，特别是需要高效率和快速开关的应用中，这款MOSFET可以发挥重要作用。

2024-10-08 11:17:15 276

原创 HUFA75321D3ST-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

通过以上应用举例，可以看出 HUFA75321D3ST-VB 适用于需要高性能、高效率和稳定性的各种领域和模块，包括但不限于电源、电机驱动、LED 照明和汽车电子。3. LED 照明：由于其高电流和高耐压特性，可以将该型号应用于 LED 照明系统中，用作 LED 驱动器的开关元件，实现 LED 灯具的高效供电和亮度控制。2. 电机驱动：在电机驱动模块中，该 MOSFET 可以作为电机的驱动开关，控制电机的启停和转向，同时具有较低的导通电阻，能够减少功率损耗并提高系统效率。**适用领域和模块举例：**

2024-10-08 11:15:22 270

原创 HUFA75309D3S-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

3. 汽车电子系统：在汽车的电子系统中，HUFA75309D3S-VB可以用于控制车辆的各种电气设备，如电动窗、座椅调节器等，确保其高效稳定的运行。2. 电源开关：在电源开关模块中，该器件可以用作高功率开关，帮助实现电源的开启和关闭，同时保持低导通电阻，减少功率损耗。1. 电机驱动：HUFA75309D3S-VB可用于驱动各种类型的电机，如直流电机和步进电机，以控制其速度和方向。4. 工业控制：在工业控制领域，该器件可用于各种自动化设备和机器的控制，提高系统的响应速度和效率。- 阈值电压Vth：1.8V。

2024-10-08 11:14:12 244

原创 HUFA75309D3ST-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

2. 电动车辆：在电动车辆中，HUFA75309D3ST-VB可用作电机驱动器件，控制电机的启停和转速，提供高效的功率传输和精确的动力控制，适用于电动汽车、电动摩托车等。1. 电源模块：HUFA75309D3ST-VB可用作开关电源模块中的功率开关器件，用于控制输出电压和电流，确保电源的稳定输出，适用于电源适配器、服务器电源等。5. 电源管理：作为功率开关器件，HUFA75309D3ST-VB也可用于各种电源管理应用，如DC-DC转换器、电池充放电管理等，提供高效的电能转换和管理功能。

2024-10-08 11:12:37 277

原创 HUF76429D3S-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

1. *电源管理模块：* HUF76429D3S-VB的高电流承受能力和低导通电阻使其成为电源管理模块的理想选择。该器件采用TO252封装，适用于各种功率控制和开关应用。4. *汽车电子：* 由于其耐压和电流特性，HUF76429D3S-VB可用于汽车电子系统中的各种应用，如发动机控制单元（ECU）、电动助力转向（EPAS）和车身电子模块。2. *电机驱动：* 由于其高电流承受能力，HUF76429D3S-VB可用于驱动各种类型的电机，包括直流电机和步进电机。**详细参数说明：****产品应用举例：**

2024-10-08 10:59:29 211

原创 HUF76429D3ST-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

综上所述，HUF76429D3ST-VB在功率电子领域的各种应用中都有广泛的适用性，包括电源管理、电机驱动、电池保护和照明应用等领域，为这些领域提供可靠的性能和效率。1. 电源管理模块：HUF76429D3ST-VB的高电流和低导通电阻使其非常适用于各种电源管理模块，如开关电源和稳压器。2. 电机驱动器：可用于驱动各种类型的电机，包括直流电机和步进电机，在工业自动化和机器人领域有广泛应用。4. 照明应用：HUF76429D3ST-VB可用于LED驱动器和其他照明应用，以实现高效能的功率控制。

2024-10-08 10:56:48 184

原创 HUF76429D_F085-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

1. **电机驱动**：HUF76429D_F085-VB 在电机控制系统中具有广泛应用。3. **电池管理**：在电池充放电管理系统中，HUF76429D_F085-VB 可以用于电池保护、充电和放电控制。4. **LED 驱动**：在 LED 照明系统中，该型号的 MOSFET 可用于 LED 驱动电路的设计。2. **开关电源**：在开关电源设计中，该型号的 MOSFET 能够提供可靠的功率开关和能源转换功能。- **电压额定值**：60V。- **电流额定值**：45A。

2024-10-08 10:55:30 172

原创 HUF76423D3S-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

1. **电源管理模块**：由于其高电流和低开态电阻特性，HUF76423D3S-VB适用于各种电源管理模块，如DC-DC变换器和开关稳压器，以提供高效的功率转换和稳定的输出。2. **电动工具**：在电动工具中，这款场效应管可用于电池管理系统和功率控制电路，实现高功率密度和可靠性，使得电动工具具有更长的工作时间和更高的性能。4. **LED照明**：在LED照明系统中，HUF76423D3S-VB可用于LED驱动器和调光控制器，实现高效的照明解决方案，并延长LED灯的寿命。### 适用领域和模块。

2024-10-08 10:53:56 265

原创 MTB30N06J3-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

1. **电源开关：** MTB30N06J3-VB的高漏极电流承受能力和低导通电阻使其成为电源开关应用的理想选择。3. **电动车充电器：** MTB30N06J3-VB适用于电动车充电器中的功率开关和电源管理部分。4. **工业自动化：** 在工业自动化领域，这款器件可用于驱动各种负载，如电磁阀、继电器和电热器等。2. **电机驱动：** 在电机驱动领域，这款器件可用于控制各种类型的电机，如直流电机和步进电机。- **漏极-源极电压（VDS）：** 60V。- **阈值电压（Vth）：** 1.8V。

2024-10-08 10:52:36 244

原创 GTT3585-VB一种2个N+P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

1. **电源逆变器：** GTT3585-VB的双通道设计使其适用于电源逆变器中，可用于控制交流电源的输出，实现电源逆变和转换。4. **自动化控制：** 在自动化控制系统中，GTT3585-VB可用于控制执行器、传感器和驱动器，实现精确和可靠的控制。3. **电流控制：** 由于其双通道设计和较低的导通电阻，GTT3585-VB适用于电流控制电路，如电流源、电流镜等。- **阈值电压（Vth):** N沟道：0.71V，P沟道：-0.81V。**型号：** GTT3585-VB。

2024-10-07 15:51:46 377

原创 GTT3434-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

2. **嵌入式系统**：在嵌入式系统中，通常需要小型、高效的功率开关器件来实现各种功能。4. **医疗器械**：在医疗器械中，需要高性能、可靠的电子元件来确保设备的稳定运行。1. **移动设备**：由于GTT3434-VB具有小尺寸和低功耗特点，适用于移动设备中的功率管理模块，如智能手机、平板电脑等，用于电池管理、充放电控制等。综上所述，GTT3434-VB适用于移动设备、嵌入式系统、消费电子和医疗器械等领域和模块，具有小尺寸、高效能的特点，能够提供稳定、可靠的电力控制和管理。**详细参数说明：**

2024-10-07 15:50:35 315

原创 GTT2604-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

该器件采用SOT23-6封装，适用于低压功率控制和开关应用，具有高性能和小型封装的特点。3. 低功耗应用：在需要低功耗和高效能的领域，如传感器网络、物联网设备等，GTT2604-VB可用于功率控制和开关，延长设备的电池寿命。2. 便携式设备：由于其小型封装和低压特性，该器件适用于各种便携式设备，如智能手机、平板电脑等，用于电源管理和开关控制。1. 电池管理系统：GTT2604-VB可以用于电池管理系统中的充放电控制和保护，帮助提高电池的使用效率和安全性。- 最大漏极-源极电压（VDS）：30V。

2024-10-07 15:48:31 215

原创 GTT2602-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

2. LED驱动：在LED照明领域，GTT2602-VB可作为LED驱动器件，用于控制LED灯的亮度和颜色，适用于室内照明、汽车照明等场景。1. 电源管理：GTT2602-VB可用于低功率电源管理模块中的开关电路，用于电池充放电管理、电压转换等功能，适用于移动设备、智能穿戴等。3. 移动设备：在智能手机、平板电脑等移动设备中，GTT2602-VB可用于电池管理、充电控制等电路，提供稳定的电源管理功能。4. 电动玩具：用于控制电动玩具中的电机驱动电路，实现精确的速度和方向控制，提高玩具的性能和寿命。

2024-10-07 15:41:06 336

原创 GT3583-VB一种2个N+P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

1. *电源切换：* GT3583-VB的双N+P沟道设计使其非常适合用于电源切换电路，特别是在需要同时处理正负电压的情况下。3. *电池管理：* 在充电和放电管理系统中，GT3583-VB可以用于实现电池的双向保护和管理。2. *电流控制：* 由于GT3583-VB具有双向电流传输能力，因此它可以用于电流控制电路中。4. *信号开关：* 由于其小型SOT23-6封装和双N+P沟道设计，GT3583-VB也可以用作信号开关，用于控制模拟信号或数字信号的通断，适用于各种低功率电子设备中。

2024-10-07 15:34:48 370

原创 GT2604-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

综上所述，GT2604-VB适用于小型功率电子应用领域，包括移动设备、电池保护、小型电源模块和医疗器械等领域，为这些领域提供高效能和可靠性的功率控制解决方案。1. 移动设备：由于GT2604-VB具有小型封装和低阈值电压，适用于各种移动设备，如智能手机、平板电脑和便携式电子设备的功率管理模块。4. 医疗器械：在医疗器械和便携式医疗设备中，GT2604-VB可用于功率管理和电池保护，确保设备的可靠性和安全性。- 导通电阻（RDS(ON)）：在VGS=10V时为30mΩ，在VGS=20V时为30mΩ。

2024-10-07 15:26:55 153

原创 GT2602-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

1. **移动设备**：由于 GT2602-VB 具有小型封装和低功率特性，因此适用于移动设备中的功率管理电路，如手机、平板电脑和便携式音频设备等。2. **嵌入式系统**：在嵌入式系统中，GT2602-VB 可以用于各种控制和功率转换应用，包括传感器接口、电机驱动和电源管理等。4. **电子玩具**：在电子玩具和消费类电子产品中，GT2602-VB 可以用于驱动电机、LED 灯和其他功率电子应用。- **电压额定值**：30V。- **阈值电压**：1.2V。- **电流额定值**：6A。

2024-10-07 15:23:12 355

原创 GT2531-VB一种2个N+P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

1. **电源管理模块**：由于其双沟道设计和双极性特性，GT2531-VB可用于各种电源管理模块，如电池管理系统和功率控制电路，以提供高效的功率转换和稳定的输出。5. **汽车电子系统**：由于其双沟道和双极性特性，GT2531-VB适用于汽车电子系统中的电源管理和电动机控制应用，如电动车辆控制器和发动机控制单元(ECU)。3. **DC-DC转换器**：GT2531-VB适用于双极性DC-DC转换器，可用于电源逆变器、电压稳定器和电源开关等应用，提供高效的能量转换和稳定的输出。### 适用领域和模块。

2024-10-07 15:21:33 304

原创 GT2530-VB一种2个N+P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

4. **LED灯带控制器**：在LED照明应用中，GT2530-VB可用于LED灯带控制器中的功率开关电路。1. **电源管理模块**：GT2530-VB可用于电源管理模块中，如电池保护电路、电源开关和电池充放电控制器。2. **电机驱动器**：在电机控制应用中，GT2530-VB可以用作电机驱动器中的功率开关元件。3. **电池充电器**：在电池充电器设计中，GT2530-VB可用于控制充电电流和保护电池免受过充和过放的损害。**适用领域和模块示例：**- 封装：SOT23-6。**详细参数说明：**

2024-10-07 15:19:57 285

原创 GJ9563-VB一种P—Channel沟道TO252封装MOS管

GJ9563-VB是VBsemi生产的P沟道场效应管，具有-40V的漏极-源极电压额定值，能够承受最大-65A的电流。3. 工业高功率应用：在工业自动化、焊接设备和电源系统中，GJ9563-VB可用于高功率开关电路和电源管理，满足工业领域对高性能和高可靠性的要求。1. 电源管理系统：GJ9563-VB可应用于电源开关模块、稳压器和DC-DC转换器中，用于提供高效率的功率转换和电流控制。- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：10mΩ（在VGS=10V时）- 最大漏极-源极电压（VDSS）：-40V。

2024-10-07 15:18:35 154

原创 FTS8342-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

4. **汽车电子：** 在汽车电子系统中，FTS8342-VB可用于驱动车内电子设备、车灯控制、以及电池管理等应用，其高性能和可靠性能够满足汽车环境下的要求。3. **电源管理：** 作为电源管理电路中的开关元件，FTS8342-VB能够提供高效的电源开关和稳定的电源输出，适用于各种电子设备和系统。5. **工业控制：** 在工业控制系统中，FTS8342-VB可以用于驱动各种执行器和传感器，实现高效的自动化控制和数据采集。**型号：** FTS8342-VB。**封装：** SOT23-6。

2024-10-07 15:15:53 217

原创 FS30ASJ-06-T13-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

FS30ASJ-06-T13-VB是一款N沟道场效应管，具有60V的漏极-源极电压承受能力和45A的漏极电流承受能力。FS30ASJ-06-T13-VB可用于电动车充电器、电池管理系统等模块中，以实现高效、安全的充电和放电。1. **电源管理**：FS30ASJ-06-T13-VB可用于各种电源管理模块，如开关电源、DC-DC变换器等。综上所述，FS30ASJ-06-T13-VB适用于电源管理、电动工具、电动车电池管理和工业自动化等领域和模块，具有广泛的应用前景，能够提供稳定、高效的功率控制。

2024-10-07 15:14:29 237

原创 FS30ASJ-06F-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

产品简介：FS30ASJ-06F-VB是VBsemi生产的一款N-Channel沟道场效应管。3. 汽车电子系统：在汽车的电子系统中，FS30ASJ-06F-VB可以用于控制车辆的各种电气设备，如电动窗、座椅调节器等，确保其高效稳定的运行。1. 电机驱动：FS30ASJ-06F-VB可用于驱动各种类型的电机，如直流电机和步进电机，以控制其速度和方向。4. 工业控制：在工业控制领域，该器件可用于各种自动化设备和机器的控制，提高系统的响应速度和效率。- 型号：FS30ASJ-06F-VB。

2024-10-07 15:13:12 233

原创 FS30ASH-06-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

2. 电动车辆：在电动车辆中，FS30ASH-06-VB可作为电机驱动器件，控制电机的启停和转速，提供高效的功率传输和精确的动力控制，适用于电动汽车、电动摩托车等。1. 电源模块：FS30ASH-06-VB可用于开关电源模块中的功率开关器件，用于控制输出电压和电流，保证电源的稳定输出，适用于家庭、商业和工业电源系统。5. 逆变器和变频器：作为逆变器和变频器中的功率开关器件，FS30ASH-06-VB可以实现直流到交流的能量转换，用于太阳能逆变器、空调变频器等应用。- 额定漏极-源极电压（VDS）：60V。

2024-10-07 15:12:01 437

原创 FS30AS-06-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

1. *电源管理模块：* FS30AS-06-VB的高电流承受能力和低导通电阻使其成为电源管理模块的理想选择。4. *汽车电子：* 由于其耐压和电流特性，FS30AS-06-VB可用于汽车电子系统中的各种应用，如发动机控制单元（ECU）、电动助力转向（EPAS）和车身电子模块。2. *电机驱动：* 由于其高电流承受能力，FS30AS-06-VB可用于驱动各种类型的电机，包括直流电机和步进电机。3. *照明系统：* 在LED驱动和照明系统中，FS30AS-06-VB可以用作电流调节器或开关器件。

2024-10-07 15:10:50 341

原创 FDD26AN06A0-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

FDD26AN06A0-VB是VBsemi生产的N沟道场效应管，具有60V的漏极-源极电压额定值，能够承受最大45A的电流。1. 电源管理模块：由于其较高的漏极-源极电压和电流承受能力，FDD26AN06A0-VB适用于电源开关模块和电源管理系统中，用于实现高效率和高功率密度。3. 自动控制系统：在工业自动化和机器人控制领域，FDD26AN06A0-VB可用于开关电路，控制电机和执行器的电流，以实现精准的运动控制和自动化功能。- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：24mΩ（在VGS=10V时）

2024-09-29 11:59:13 288

原创 FDD26AN06A0_F085-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

3. **电动车电池管理系统（BMS）：** 电动车电池管理系统需要控制和保护电池，而FDD26AN06A0_F085-VB的低导通电阻和高电压承受能力使其成为BMS模块中的一部分，用于电池的保护和管理。1. **电源模块：** FDD26AN06A0_F085-VB的高漏极电流承受能力和低导通电阻使其成为电源模块中的理想选择，特别是在高性能、高效率的电源设计中。4. **LED照明：** 在LED照明模块中，这款MOSFET可用于调光和控制LED灯的亮度，其高效率和低损耗特性有助于提高整体系统的能效。

30V;6A;RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.2V

2024-11-11

空空如也

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