MTN3418N3-VB 是VBsemi品牌的N沟道场效应晶体管,采用SOT23封装。以下是详细参数说明和应用简介:
- 参数:
- 额定电压:30V
- 额定电流:6.5A
- RDS(ON):30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):1.2~2.2V
- 封装:SOT23
应用简介:
该晶体管适用于需要N沟道场效应晶体管的电路和模块。由于其高额定电流和低导通电阻,它可以在各种应用中发挥作用。
应用领域:
1. **电源管理模块:** 用于开关电源、稳压器和其他电源管理电路。
2. **驱动电路:** 作为电机驱动和其他功率驱动电路的关键组件。
3. **LED驱动:** 在LED照明系统中,可用于控制LED的电流。
这款晶体管在需要高性能N沟道场效应晶体管的电子应用中发挥作用,为这些领域的模块提供可靠的功率控制和开关功能。