PMV170UN-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

PMV170UN-VB 丝印：VB1240 品牌：VBsemi 

**详细参数说明：**

- 封装类型：SOT23
- 沟道类型：N-Channel
- 额定电压：20V
- 额定电流：6A
- RDS(ON)：24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V
- 閘極閾值電壓（Vth）：0.45~1V

**应用简介：**

PMV170UN-VB是一款N-Channel类型的SOT23封装场效应晶体管。其主要特性包括20V的额定电压，6A的额定电流，以及低导通电阻（RDS(ON)）等。适用于要求高性能的电路设计。

**领域应用：**

1. **电源管理模块：** 由于PMV170UN-VB具有较低的导通电阻和适中的电压电流参数，可用于电源管理模块，提高效率并减小功耗。

2. **驱动模块：** 作为N-Channel场效应晶体管，可用于电路中的驱动模块，如电机驱动、LED驱动等，以提供可靠的电流控制。

3. **电流控制模块：** 由于其低阻态时的导通电阻，适用于需要电流控制的电路模块，如电流源、电源开关等。

请注意，具体的应用可能会因设计要求和环境而有所不同。在使用该器件时，请参考厂商提供的数据手册和应用指南，以确保正确使用并满足特定设计的要求。