10N65TL-TF3-T-VB一种N-Channel沟道TO220F封装MOS管

### 产品简介：

10N65TL-TF3-T-VB 是一款单通道 N 型 MOSFET，采用平面工艺制造，具有650V 的漏极-源极电压（VDS），30V 的栅极-源极电压（VGS，±），3.5V 的阈值电压（Vth），在VGS=10V 时的导通电阻（RDS(ON)）为830mΩ，最大漏极电流（ID）为10A。该产品采用 TO220F 封装。

### 参数说明：

- **包装尺寸**：TO220F
- **配置**：单 N-通道
- **漏极-源极电压（VDS）**：650V
- **栅极-源极电压（VGS）**：30V（±）
- **阈值电压（Vth）**：3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：830mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流（ID）**：10A
- **技术**：平面工艺

### 应用示例：

1. **电源模块**：10N65TL-TF3-T-VB 可用于开关电源模块中的功率开关。
2. **照明**：适用于 LED 驱动器中的功率开关。
3. **电动汽车充电桩**：可用于电动汽车充电桩中的电源开关。
4. **太阳能逆变器**：在太阳能逆变器中作为关键功率开关元件使用。
5. **电机驱动**：用于工业电机驱动器中的功率开关。

这些示例突显了 10N65TL-TF3-T-VB 在能源转换、电源管理和电机控制等领域的广泛应用。