RSM2300N-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管

产品型号: RSM2300N-VB

丝印: VB1240

品牌: VBsemi

参数:
- 封装: SOT23
- 类型: N-Channel沟道
- 额定电压: 20V
- 额定电流: 6A
- 开启电阻 \(R_{DS(ON)}\): 24mΩ @ \(V_{GS}=4.5V, V_{GS}=8V\)
- 阈值电压 \(V_{th}\): 0.45~1V

封装: SOT23

详细参数说明和应用简介:
RSM2300N-VB是一款N-Channel沟道MOSFET，采用SOT23封装。其主要参数包括20V的额定电压，6A的额定电流，以及在不同门源电压下的开启电阻 \(R_{DS(ON)}\)。阈值电压 \(V_{th}\) 在0.45~1V范围内。

应用领域:
该产品适用于需要在低电压和中电流条件下进行电流控制的应用。常见用途包括电源管理、电池管理、以及各种便携式电子设备。

模块应用:
- 电源管理模块
- 电池管理模块
- 便携式电子设备模块

请注意，在设计中应确保产品的工作条件符合其规格参数，以实现最佳性能。