TSM4433DCS-RL-VB一款SOP8封装2个P—Channel场效应MOS管

型号: TSM4433DCS-RL-VB
丝印: VBA4338
品牌: VBsemi
参数: 
- 2个P-Channel沟道
- 最大工作电压：-30V
- 最大连续漏极电流：-7A
- 开启状态电阻：35mΩ@VGS=10V, VGS=20V
- 门压阈值电压：-1.5V
封装: SOP8

详细参数说明:
- 此产品为具有2个P-Channel沟道的功率场效应晶体管（MOSFET）。
- 可工作在最大电压为-30V的条件下，适用于低压电路设计。
- 最大连续漏极电流为-7A，具有较高的电流承受能力。
- 开启状态电阻为35mΩ@VGS=10V, VGS=20V，有助于降低功率损耗和提高效率。
- 门压阈值电压为-1.5V，确保了可靠的驱动和开关性能。

应用简介:
- 适用于电源管理、功率放大、电机控制等领域的电路设计。
- 可用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器等模块中，提高系统效率和可靠性。
- 在电动车充电桩、太阳能逆变器、LED照明等应用中具有广泛的应用前景。

举例说明:
- 在电动车充电桩中，可用作充电控制器的功率开关元件，实现对电池充电过程的精确控制和高效能量转换。
- 在太阳能逆变器中，作为功率开关元件，实现太阳能电能的高效转换和稳定输出。
- 在LED照明系统中，用作LED驱动器的开关管，实现高效能量转换和可靠的照明控制。