11N60C3-VB TO247一种N-Channel沟道TO247封装MOS管

## 产品简介：

VBsemi的MOSFET产品11N60C3-VB是一款单N沟道MOSFET，采用了Plannar技术，具有650V的漏极-源极电压（VDS）和18A的漏极电流（ID）能力。该产品在TO247封装中提供，适用于需要高电压和高性能的功率电子应用。

## 参数说明：

- 封装：TO247
- 构型：单N沟道
- 漏极-源极电压（VDS）：650V
- 栅极-源极电压（VGS）：±30V
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 导通电阻（RDS(ON)）：430mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流（ID）：18A
- 技术：Plannar

## 应用领域和模块：

1. **电动汽车**：由于11N60C3-VB具有高漏极电压和较低的导通电阻，适用于电动汽车中的功率控制模块，如电机驱动器和电池管理系统。

2. **工业电源**：在工业电源系统中，这款MOSFET可用于开关电源模块，如变频器、UPS和电源转换器，提供高效率和可靠性。

3. **太阳能逆变器**：11N60C3-VB适用于太阳能逆变器中的功率开关模块，支持将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。

4. **电力传输**：在高压直流输电系统中，11N60C3-VB可用于控制和保护电力系统的稳定性和效率。

5. **电焊设备**：这款MOSFET还可用于电焊设备中的功率控制单元，提供高功率密度和可靠性。

以上是对11N60C3-VB MOSFET产品的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块的介绍。