### 产品简介
VBsemi的11N80C3-VB是一款单N沟道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术,具有高达800V的漏极-源极电压(VDS)和30V的栅极-源极电压(VGS)。该器件的漏极-源极导通电阻(RDS(ON))在VGS=10V时为370mΩ,具有15A的漏极电流(ID)和3.5V的阈值电压(Vth)。
### 参数说明
- **型号**: 11N80C3-VB
- **封装**: TO247
- **结构**: 单N沟道
- **VDS(漏极-源极电压)**: 800V
- **VGS(栅极-源极电压)**: 30V(±)
- **Vth(阈值电压)**: 3.5V
- **RDS(ON)(漏极-源极导通电阻)**:
- VGS=10V时:370mΩ
- **ID(漏极电流)**: 15A
- **技术**: SJ_Multi-EPI
### 应用领域和模块示例
1. **电力传输与分配**: 由于其高电压和电流特性,11N80C3-VB可用于电力传输与分配系统中的高压开关和线路保护器。
2. **工业控制**: 在工业控制系统中,该器件可用于功率开关和电流控制,例如在电机控制和工业机器人中。
3. **电源模块**: 该MOSFET适用于要求高电压和电流的电源模块,如开关电源和稳压器。
4. **光伏逆变器**: 在光伏逆变器中,11N80C3-VB可用作功率开关,实现光伏电能的高效转换和逆变控制。
5. **电动汽车充电器**: 由于其高电压和电流容量,该器件适用于电动汽车充电器中的功率开关和充电控制。
以上示例仅说明了11N80C3-VB可能应用的部分领域和模块,具体应用取决于设计要求和环境。