11N60C3-VB一种N-Channel沟道TO220封装MOS管

### 产品简介

VBsemi的11N60C3-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Plannar技术，具有高达650V的漏极-源极电压（VDS）和30V的栅极-源极电压（VGS）。该器件的漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）在VGS=10V时为430mΩ，具有18A的漏极电流（ID）和3.5V的阈值电压（Vth）。

### 参数说明

- **型号**: 11N60C3-VB
- **封装**: TO220
- **结构**: 单N沟道
- **VDS（漏极-源极电压）**: 650V
- **VGS（栅极-源极电压）**: 30V（±）
- **Vth（阈值电压）**: 3.5V
- **RDS(ON)（漏极-源极导通电阻）**: 
  - VGS=10V时：430mΩ
- **ID（漏极电流）**: 18A
- **技术**: Plannar

### 应用领域和模块示例

1. **电源模块**: 11N60C3-VB的高电压和电流特性使其适用于电源模块，如开关电源和稳压器。
2. **工业控制**: 在工业控制系统中，该器件可用于功率开关和电流控制，例如在PLC（可编程逻辑控制器）和工业机器人中。
3. **电动汽车**: 由于其高电压和电流容量，11N60C3-VB适用于电动汽车中的功率开关和电池管理系统。
4. **太阳能逆变器**: 在太阳能逆变器中，该器件可用作功率开关，实现太阳能电能的高效转换和逆变控制。
5. **医疗设备**: 该MOSFET可用于医疗设备中的电源管理和控制，如医用X射线机和超声波设备。

以上示例仅说明了11N60C3-VB可能应用的部分领域和模块，具体应用取决于设计要求和环境。