126N10N-VB TO262一种N-Channel沟道TO262封装MOS管

### 产品简介
VBsemi的126N10N-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO262封装，具有100V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），2.5V的阈值电压（Vth），以及在VGS=4.5V时为10mΩ，在VGS=10V时为9mΩ的导通电阻（RDS(ON)）。该器件的漏极电流（ID）额定为100A，采用沟道技术制造。

### 参数说明
- **包装形式**：TO262
- **通道类型**：单N沟道
- **VDS（漏极-源极电压）**：100V
- **VGS（栅极-源极电压）**：20V（±V）
- **阈值电压（Vth）**：2.5V
- **RDS(ON)（导通电阻）**：10mΩ @ VGS=4.5V；9mΩ @ VGS=10V
- **ID（漏极电流）**：100A
- **技术**：沟道

### 应用领域和模块举例
1. **电源模块**：126N10N-VB可用于高功率直流电源模块，如工业电源和UPS系统，提供高效的电能转换和稳定的电源输出。
2. **电动车辆**：在电动汽车和混合动力车辆中，这种器件可以用作电机驱动器的开关装置，实现电机的高效控制和动力输出。
3. **工业自动化**：在工业控制系统中，这种MOSFET可用于各种电流大、压降低的开关电路，如继电器和接触器的替代方案。
4. **电源管理**：在高性能电源管理模块中，这种器件可用于电压调节、电流控制和电池充放电管理。
5. **太阳能逆变器**：适用于太阳能逆变器中的电路，将太阳能电池板收集的直流电转换为交流电，供应给家庭或工业用电系统。

以上仅为一些常见应用领域和模块，实际应用中还可能有其他领域和模块。