15NM60ND-VB TO220F一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 15NM60ND-VB 产品简介

15NM60ND-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，具有高压容忍性和低导通电阻。采用平面工艺制造，适用于高压、高性能的应用场合，如电源开关、逆变器、电机驱动器等。

### 15NM60ND-VB 详细参数说明

- **包装**: TO220F
- **构型**: 单 N 沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: @ VGS = 10V: 320mΩ
- **漏极电流 (ID)**: 20A
- **技术**: 平面工艺

### 适用领域和模块示例

1. **电源开关**: 15NM60ND-VB 在高压电源开关中具有良好的性能，可用于工业电源、UPS 系统等。
2. **逆变器**: 在需要高效率和可靠性的逆变器中，15NM60ND-VB 可以用作功率开关元件，提供高效的电能转换。
3. **电机驱动器**: 15NM60ND-VB 在需要高压、高性能的电机驱动器中表现出色，可用于电动汽车驱动器、工业电机控制器等。

15NM60ND-VB 还可以在其他需要高压、高性能的场合中发挥作用，为设计者提供了灵活性和选择空间。