2N7002BKS-VB一种N+N-Channel沟道SOT23-6封装MOS管

### 产品简介

2N7002BKS-VB 是一款双N+N沟道MOSFET，采用SOT23-6封装，由VBsemi提供。该器件具有60V的漏极-源极电压，适用于低功率应用。采用了Trench技术，提供了可靠的性能和稳定性。

### 详细参数说明

- **封装类型**：SOT23-6
- **配置**：双N+N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**：60V
- **栅源极电压 (VGS)**：±20V
- **栅阈值电压 (Vth)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
  - 3000mΩ @ VGS=4.5V
  - 1800mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：0.35A
- **技术**：Trench

### 应用领域和模块

2N7002BKS-VB MOSFET 在多个领域和模块中具有广泛的应用，以下是一些典型的应用示例：

1. **电路保护**：
   由于其双N+N沟道配置，该器件适用于电路保护应用，如过压保护、过流保护等。

2. **信号开关**：
   在低功率信号开关中，2N7002BKS-VB 可以用作信号开关器件，帮助实现信号的传输和控制。

3. **电池管理**：
   在电池管理系统中，该MOSFET 可以用于充放电控制电路中的开关器件，实现对电池的有效管理。

4. **LED驱动**：
   该器件适用于LED驱动电路中的开关器件，帮助提供稳定的LED灯光输出。

5. **传感器接口**：
   2N7002BKS-VB 可以用作传感器接口电路中的开关器件，实现传感器数据的传输和控制。

以上应用示例展示了2N7002BKS-VB 的多功能性和适用性，使其成为各种低功率电子系统中的理想选择。