2N90G-TA3-T-VB一种N-Channel沟道TO220封装MOS管

### 产品概述：2N90G-TA3-T-VB

2N90G-TA3-T-VB是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，具有高压和高性能特性。它采用TO220封装，适用于中功率应用场景。这款MOSFET具有较低的导通电阻和适中的阈值电压，适用于要求高压和中功率的电源管理和开关控制应用。

### 详细规格

- **封装**：TO220
- **配置**：单N沟道
- **漏极-源极电压（V_DS）**：900V
- **栅极-源极电压（V_GS）**：±30V
- **阈值电压（V_th）**：3.5V
- **导通电阻（R_DS(ON)）**：1500mΩ @ V_GS = 10V
- **漏极电流（I_D）**：5A
- **技术**：SJ_Multi-EPI

### 应用及使用场景

1. **电源管理**：
   - **电源逆变器**：适用于电源逆变器中的功率开关，提供高效的电能转换。
   - **电源调节器**：可用于电源调节器中的开关控制，提供稳定的电压输出。

2. **开关控制**：
   - **电机驱动**：适用于电机驱动电路中的开关控制，提供高效的电机驱动能力。
   - **照明控制**：可用于照明控制中的开关控制，提供灯光调节功能。

3. **电力管理**：
   - **电力传输**：适用于电力传输中的功率开关，提供高效的电能传输。
   - **电力监控**：可用于电力监控中的开关控制，提供实时的电力数据监测。

2N90G-TA3-T-VB适用于多种中功率应用场景，为工程师和设计者提供了一种高压高性能的电源管理和开关控制解决方案。