2N80L-VB一种N-Channel沟道TO220封装MOS管

### VBsemi 2N80L-VB MOSFET 产品概述

VBsemi 2N80L-VB 是一款单 N-通道 MOSFET，适用于中功率应用。封装在 TO220 封装中，适合于一般电路设计。这款 MOSFET 采用了平面结构技术，具有适中的漏极-源极电压和电流承载能力，适用于要求中功率和高效率的应用场合。

### 详细规格

- **封装：** TO220
- **配置：** 单 N-通道
- **VDS（漏极-源极电压）：** 850V
- **VGS（栅极-源极电压）：** ±30V
- **Vth（栅极阈值电压）：** 3.5V
- **RDS(ON)（导通电阻）：** 2700mΩ @ VGS = 10V
- **ID（连续漏极电流）：** 4A
- **技术：** 平面结构

### 应用和用例

VBsemi 2N80L-VB MOSFET 适用于各种领域和模块：

1. **电源管理：**
   - **中功率开关：** 用于中功率电源管理电路中的开关，例如开关电源和DC-DC 变换器。
   - **逆变器控制：** 用于逆变器控制电路中的功率开关，实现直流到交流的转换。

2. **马达驱动：**
   - **小型马达控制：** 用于小型电动机控制电路中的开关，例如电动工具和小型机械设备。

3. **照明应用：**
   - **中功率 LED 驱动：** 用于中功率 LED 灯驱动电路中的开关，提供 LED 的功率控制。

4. **电动汽车充电桩：**
   - **充电控制器：** 用于电动汽车充电桩中的功率开关，控制充电电流和电压。

VBsemi 2N80L-VB MOSFET 具有适中的功率和高效率的特点，适用于各种中功率应用，包括电源管理、马达驱动和照明应用等。