2SJ382-VB一款P-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 一、2SJ382-VB 产品简介

2SJ382-VB 是一款由 VBsemi 生产的单一 P-沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造。该器件封装在 TO252 外壳中，具有适中的功率处理能力和良好的散热性能，适用于中功率应用。

### 二、2SJ382-VB 详细参数说明

- **封装类型**：TO252
- **配置**：单一 P-沟道
- **漏源电压 (VDS)**：-30V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：-1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
  - 46mΩ @ VGS=4.5V
  - 33mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：-38A
- **技术**：Trench

### 三、应用领域和模块示例

2SJ382-VB 的中功率特性使其适用于多种领域和模块：

1. **电源管理模块**：
   由于其适中的功率处理能力，2SJ382-VB 可以用于各种电源管理模块，如工控电源、通信设备电源等，以提供稳定的电源转换和管理。

2. **电动工具**：
   在电动工具中，2SJ382-VB 可以用于电动钻、电动锯等工具的电源管理和控制电路，提供高效的功率控制和稳定的电源供应。

3. **工业控制**：
   该 MOSFET 可以用于工业控制系统中的各种开关电路和控制器，以提供可靠的电源开关和控制功能。

4. **LED 灯控制**：
   在 LED 灯控制电路中，2SJ382-VB 可以用于功率开关，实现 LED 灯的亮度调节和开关控制功能。

通过上述应用实例，可以看出2SJ382-VB 在中功率、高效能量转换和稳定性要求较高的领域和模块中具有重要的应用价值。