3585-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

产品简介：
3585-VB是VBsemi生产的N+P-Channel沟道场效应晶体管，采用SOT23-6封装。它具有±20V的漏极-源极电压（VDS），7A的N-Channel漏极电流（ID），以及-4.5A的P-Channel漏极电流（ID）。在VGS=4.5V时，N-Channel沟道的导通电阻为20mΩ，P-Channel沟道的导通电阻为70mΩ。门极-源极电压（VGS）范围为-20V至20V，阈值电压（Vth）分别为0.71V和-0.81V。

详细参数说明：
- 品牌：VBsemi
- 型号：3585-VB
- 丝印：VB5222
- 类型：N+P-Channel沟道场效应晶体管
- 漏极-源极电压（VDS）：±20V
- N-Channel漏极电流（ID）：7A
- P-Channel漏极电流（ID）：-4.5A
- N-Channel RDS(ON)：20mΩ @ VGS=4.5V
- P-Channel RDS(ON)：70mΩ @ VGS=4.5V
- VGS范围：-20V至20V
- N-Channel阈值电压（Vth）：0.71V
- P-Channel阈值电压（Vth）：-0.81V
- 封装：SOT23-6

适用领域和模块示例：
1. 电源开关：3585-VB的双沟道设计使其非常适用于电源开关模块，能够在同一封装内实现双极性功率开关，适用于电源管理和转换器应用。
2. 电机驱动：可用于驱动直流电机的电源开关，例如用于家用电器、汽车和工业自动化中的电动机驱动器。
3. 电池管理：在便携式设备和电动工具中，3585-VB可用于设计电池管理系统，实现充电、放电和保护功能。
4. 逆变器：适用于太阳能逆变器和其他电力电子设备中的功率开关模块，以实现DC到AC的能量转换，例如太阳能电池板系统。
5. LED驱动：能够在LED照明系统中提供双通道的驱动能力，可以控制LED灯的亮度和颜色，适用于室内和室外照明应用。