一、产品简介:
CEH2316-VB 是由 VBsemi 生产的 N-Channel 沟道 MOSFET,采用 SOT23-6 封装。它具有正压 30V、电流 6A 和 RDS(ON) 为 30mΩ@VGS=10V 的特性。具有 VGS=20V 和阈值电压 Vth=1.2V。
二、详细参数说明:
- 型号: CEH2316-VB
- 品牌: VBsemi
- MOSFET 类型: N-Channel
- 最大正压: 30V
- 最大电流: 6A
- 开启电阻: RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V
- 门极-源极电压: VGS=20V
- 阈值电压: Vth=1.2V
- 封装: SOT23-6
三、应用领域及模块示例:
1. 便携式电子产品:由于其小封装和低电压、低电流特性,CEH2316-VB 可以广泛应用于便携式电子产品中的功率开关、充放电管理和电源管理模块,如手机、平板电脑和便携式音频设备等。
2. 消费类电子:在家用电器和消费类电子产品中,这款 MOSFET 可以用于 LED 驱动器、电源开关和电池充电器等模块,提供高效的能量转换和电路保护。
3. 医疗器械:在医疗设备和医疗器械中,CEH2316-VB 可以用于电路控制、电机驱动和传感器接口等应用,实现高效的电力转换和精确的控制。
4. 工业传感器:在工业自动化和传感器网络中,该器件可以用于传感器接口、数据采集和电源管理,实现工业设备的智能控制和数据传输。