J317NYTL-E-VB一种P—Channel沟道SOT89-3封装MOS管

产品简介：
J317NYTL-E-VB 是 VBsemi 公司生产的 P-Channel 沟道场效应晶体管，具有-30V的漏极-源极电压承受能力和-5.8A的漏极电流。采用 SOT89-3 封装。该器件适用于低压功率控制电路，提供可靠性和性能优势，适用于各种电子设备的设计。

详细参数说明：
- 沟道类型：P-Channel
- 最大漏极-源极电压：-30V
- 最大漏极电流：-5.8A
- 静态漏极-源极电阻 (RDS(ON))：50mΩ（在VGS=10V，VGS=20V时）
- 阈值电压 (Vth)：-0.6V 至 -2V

应用领域和模块示例：

1. 低功率电源管理模块：J317NYTL-E-VB 适用于各种低功率电源管理模块，如便携式设备充电管理、电池保护电路等。其优异的性能特性可以确保在这些应用中实现高效率和稳定性。

2. 信号开关：在各种信号开关电路中，J317NYTL-E-VB 可以作为信号开关器件使用。其低漏极电阻和低阈值电压使其能够在低功率条件下实现可靠的信号控制功能。

3. 便携式电子设备：J317NYTL-E-VB 可以应用于各种便携式电子设备，如智能手机、平板电脑等的电源管理和信号控制电路中，以提高电池续航时间和系统效率。

4. 电池保护电路：在电池保护电路中，J317NYTL-E-VB 可以作为过充、过放保护器件使用。其性能能够确保电池在充放电过程中安全可靠。

以上示例展示了 J317NYTL-E-VB 在各种低功率电子设备和电路中的广泛应用，为设计者提供了灵活可靠的解决方案。