BSS123LT1G-VB一种N沟道SOT23封装MOS管

型号: BSS123LT1G-VB

丝印: VB1106K

品牌: VBsemi

### 详细参数说明：

- **封装类型:** SOT23
- **沟道类型:** N-Channel
- **额定电压 (VDS):** 100V
- **最大持续电流 (ID):** 0.17A
- **导通电阻 (RDS(ON)):**
  - @ VGS = 10V: 2800mΩ
  - @ VGS = 20V: 未提供具体数值
- **阈值电压 (Vth):** 1.28V

### 应用简介：

BSS123LT1G-VB是一款SOT23封装的N-Channel沟道场效应晶体管。由于其小电流、低电压、小封装的特性，适用于一些低功耗、小信号开关的应用。

### 适用领域和模块：

1. **小信号开关模块：** 由于其小电流和低电压特性，BSS123LT1G-VB可用于设计小信号开关模块，例如在电子设备中用于控制小功率LED、传感器等。

2. **电源开关：** 在一些低功率电源开关中，可以用于控制电源的开关，实现电源的节能和管理。

3. **模拟电路开关：** 适用于模拟电路中的小信号开关，例如模拟开关电源、模拟信号选择等。

### 使用注意事项：

1. **电压等级：** 在使用过程中，确保不要超过额定电压100V。

2. **电流限制：** 不要超过规定的最大持续电流，即0.17A。

3. **阈值电压：** 注意阈值电压为1.28V，在设计电路时需考虑适当的电压范围。

4. **散热：** 通常情况下，由于其小功率特性，不需要额外的散热。

5. **静电防护：** 在操作过程中，采取适当的静电防护措施，以防止损坏晶体管。

请注意，这只是一个基本的概述，具体的设计和应用需要根据具体的项目需求和制造商的推荐进行。在使用该器件之前，请务必查阅相关的数据表和技术文档以获取详细的信息和指导。