mosfet应用与解析
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PMV65XP-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **电源管理模块:** 由于PMV65XP-VB是P-Channel沟道器件,适用于负载开关和电源管理模块,实现高效的电源开关控制。2. **电流控制模块:** -4A的额定电流使其适用于负载电流控制回路,例如电机驱动、电源逆变器等。4. **电源逆变器:** 可用于负载开关和逆变器模块,实现高效的能量转换。**PMV65XP-VB 详细参数说明:**- **丝印:** VB2290。- **品牌:** VBsemi。- **封装:** SOT23。**适用领域和模块示例:**- 额定电流:-4A。原创 2024-05-24 10:19:39 · 229 阅读 · 0 评论 -
PMV65UN-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
2. **DC-DC转换器:** 在DC-DC转换器中,可用于高效能耗的电能转换。2. **电流保护模块:** 用于各类电路中,提供过流保护,确保电路安全运行。3. **DC-DC转换模块:** 集成于DC-DC转换器,提高电能转换效率。1. **电源开关模块:** 集成于电源管理模块,用于实现电源的开关控制。- **丝印:** VB1240。- **品牌:** VBsemi。- **封装:** SOT23。- **工作电压:** 20V。- **电流:** 6A。原创 2024-05-24 10:18:25 · 116 阅读 · 0 评论 -
PMV60EN-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
具有30V的额定电压、6.5A的额定电流,以及低开态电阻,可在不同电路中实现高性能功率开关控制。1. **电源管理模块:** 适用于电源开关、电源逆变器等模块,能够实现高效率的电源管理。2. **电流控制模块:** 可用于电流控制回路,确保电流在设定范围内稳定工作。4. **LED照明控制:** 用于LED照明驱动电路,实现亮度调节和开关控制。- 开态电阻(RDS(ON)):30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V。3. **电机驱动模块:** 在电机驱动电路中,提供可靠的功率开关控制。原创 2024-05-24 10:17:06 · 146 阅读 · 0 评论 -
PMV56XN-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
PMV56XN-VB是一款N-Channel沟道MOSFET,适用于SOT23封装。主要应用在需要高电流开关的电路中,具有低导通电阻和较高的额定电流。- 导通电阻: RDS(ON) = 24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V。这些模块中,PMV56XN-VB的高电流特性使其成为负载开关的理想选择。- LED驱动模块:用于LED驱动电路,实现亮度调节和开关控制。- 电机驱动模块:可用于直流电机驱动,实现高效的电机控制。- 电源管理模块:适用于开关电源、稳压器等电源管理电路。- 额定电压: 20V。原创 2024-05-24 10:15:02 · 79 阅读 · 0 评论 -
PMV50UPE-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
PMV50UPE-VB是VBsemi品牌推出的P—Channel MOSFET,采用SOT23封装。PMV50UPE-VB是一款设计用于低电压和中电流应用的P—Channel MOSFET。这款P—Channel MOSFET的优异性能使其成为在各种低功耗和高效率电源管理应用中的理想选择,为电子设计提供了灵活性和可靠性。- 最大漏极电流:-5.6A。- 最大耐压:-30V。- 电流限制和开关应用。- 阈值电压:-1V。- DC-DC转换器。- **应用简介:**- **领域应用:**- **模块应用:**原创 2024-05-24 10:13:48 · 154 阅读 · 0 评论 -
PMV45EN-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
在电源逆变器中,PMV45EN-VB 的 N-Channel 沟道特性使其成为电源逆变控制的理想选择。- 具有较高的电流承受能力和低开态电阻,适用于电流控制模块,提供高效的电流调节。**PMV45EN-VB 产品详细参数说明:**- **产品名称:** PMV45EN-VB。- **丝印:** VB1330。- **品牌:** VBsemi。- **封装:** SOT23。4. **LED 驱动器:**1. **电源管理模块:**2. **电流控制模块:**5. **电池管理系统:**原创 2024-05-24 10:12:30 · 363 阅读 · 0 评论 -
PMV37EN-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
2. **电流控制:** 适用于需要对电流进行精确控制的电路,如电流源、电流放大器等。1. **电源模块:** 由于其较低的开态电阻和适中的电流容限,可用于电源开关模块。3. **电机驱动:** 可作为电机驱动电路中的开关元件,支持较高电流和电压的应用。- 开态电阻(RDS(ON)):30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V。4. **LED照明:** 在LED驱动电路中,可用于调整和控制LED的亮度。**注意:** 在实际应用前,请仔细阅读产品手册以确保正确使用和最大性能。原创 2024-05-24 10:11:28 · 241 阅读 · 0 评论 -
PMV33UPE-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
**开启电阻(On-Resistance):** 在VGS=10V和VGS=20V的情况下,产品的开启电阻为47mΩ,表现出较低的导通电阻,有助于提高效率。- **最大电流(Maximum Current):** 产品支持最大电流-5.6A,适用于对电流需求较高的应用。- **电源管理模块:** 由于其P—Channel沟道和较低的开启电阻,可用于电源管理模块,提供有效的电流控制。- **电流控制模块:** 由于最大电流为-5.6A,可用于需要较高电流控制的电路设计,如电机控制和驱动模块。原创 2024-05-24 10:10:19 · 187 阅读 · 0 评论 -
PMV32UP-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
PMV32UP-VB适用于需要P沟道MOSFET的电路和模块设计。4. **汽车电子:** 用于汽车电子系统,如发动机控制单元(ECU)和照明控制。- 开关电阻(RDS(ON)):47mΩ(在VGS=10V和VGS=20V时)2. **电机驱动:** 作为电机驱动电路中的开关元件,控制电机的运行和速度。3. **LED照明:** 在LED驱动电路中,通过控制电流实现高效照明。1. **电源管理:** 用于电源开关和调节电路,提供高效的电能转换。- 阈值电压(Vth):-1V。**封装:** SOT23。原创 2024-05-24 10:08:32 · 200 阅读 · 0 评论 -
PMV31XN-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **电源管理模块:** 具备20V的额定电压和6A的额定电流,PMV31XN-VB 在电源管理模块中表现出色,有助于实现高效的电源控制。4. **驱动模块:** N—Channel 沟道的设计使其适用于驱动模块,实现高效的信号放大和控制。2. **电流控制模块:** 低导通电阻特性使其适用于电流控制模块,有助于实现准确的电流调节。3. **开关电源:** 紧凑的 SOT23 封装使其适用于开关电源,提高电源转换效率。- 阈值电压:Vth = 0.45~1V。**主要应用领域:**原创 2024-05-24 10:07:20 · 321 阅读 · 0 评论 -
PMV30XN-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **电源管理模块:** PMV30XN-VB适用于电源管理模块,可用作功率开关和电流控制器,提供高效的电源调节和控制。2. **电源逆变器:** 在电源逆变器中,该晶体管有助于实现直流到交流的转换,常见于太阳能逆变器、电动汽车充电器等应用。3. **电源开关模块:** 作为电源开关模块中的高性能开关元件,PMV30XN-VB提供低导通电阻和可靠的电源开关控制。4. **LED驱动器:** 用于LED照明系统的驱动器,支持高效的电流控制,提高LED照明系统的性能和可靠性。- 阈值电压:0.45~1V。原创 2024-05-24 10:06:00 · 203 阅读 · 0 评论 -
PMV30UN-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **电源管理模块:** 由于其N-Channel特性和较低的导通电阻,PMV30UN-VB可用于电源管理模块,实现高效的电源开关控制。1. **电压极性:** PMV30UN-VB为N-Channel沟道晶体管,使用时需注意其负载开关的电压极性。3. **DC-DC 变换器:** 可应用于DC-DC变换器中,用于电能转换与电压调节,提高能量利用效率。2. **电流与功耗:** 在设计中需确保不超过PMV30UN-VB的最大电流和功耗,以避免过载损坏。- **丝印:** VB1240。原创 2024-05-24 10:04:56 · 399 阅读 · 0 评论 -
PMV28UN-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
导通电阻: RDS(ON) = 24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V。PMV28UN-VB 的高性能和可靠性使其成为各种电子设备中功率控制和管理的理想选择。- 用于电源开关、DC-DC 变换器和调节模块,提供高效的功率控制。- 由于小型封装和低阈值电压,适合用于便携式电子设备的功率控制。- 适用于电机控制,提供高效的电流和电压控制。3. **充放电管理模块:**型号: PMV28UN-VB。2. **电机驱动模块:**4. **便携式设备:**1. **电源模块:****详细参数说明:**原创 2024-05-24 10:03:45 · 266 阅读 · 0 评论 -
PMV22EN-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
总的来说,PMV22EN-VB 是一款性能卓越的 N—Channel 场效应晶体管,适用于多种电子模块,特别是在需要可靠电流控制的场景下发挥着关键作用。4. **电源逆变器:** 用于实现 DC 到 AC 的转换,常见于太阳能逆变器等应用。3. **LED 照明模块:** 在 LED 照明系统中,可用于调光和电流控制。1. **电源管理模块:** 用于电源开关控制,提供高效的电源管理。2. **电机驱动模块:** 作为电机驱动器,实现对电机的可靠控制。- 最大电流:6.5A。- 额定电压:30V。原创 2024-05-24 10:02:37 · 149 阅读 · 0 评论 -
PMV213SN-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **电源开关模块:** 由于 PMV213SN-VB 具有高电压容忍度和低开通电阻,可用于电源开关模块中,确保高效率的电源控制。2. **照明系统:** 在 LED 照明系统中,PMV213SN-VB 可用于电流调节和控制,提供稳定的照明效果。**PMV213SN-VB 详细参数说明:**- **型号:** PMV213SN-VB。- **丝印:** VB1102M。- **品牌:** VBsemi。- 阈值电压:Vth=2V。- **封装:** SOT23。**适用领域和模块举例:**原创 2024-05-24 10:01:17 · 276 阅读 · 0 评论 -
PA002FMG-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
其具有最大承受电压为-20V,适用于需要负载电压较低的电路。最大电流为-4A,适用于小型电子设备的电源管理和开关控制。1. **电源开关模块:** 由于PA002FMG-VB具有较小的封装,可用于设计紧凑的电源开关模块,实现设备的高效开关控制。2. **便携式电子设备:** 适用于便携式电子设备中的电源管理电路,如智能手机、平板电脑等,确保高效的电源控制。- 阈值电压: Vth=-0.81V。- 沟道类型: P—Channel。- 最大承受电压: -20V。- 封装: SOT23。- 最大电流: -4A。原创 2024-05-23 10:17:44 · 196 阅读 · 0 评论 -
P8503BMG-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **电源管理:** 用于开关电源、稳压器和DC-DC转换器中,提供高效的功率转换。- **导通电阻:** RDS(ON)=30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V。2. **电机控制:** 作为电机驱动电路中的开关元件,实现精准的电机控制。- **阈值电压:** Vth=1.2~2.2V。- **沟道类型:** N-Channel。- **封装类型:** SOT23。- **电流容限:** 6.5A。- **电压等级:** 30V。**详细参数说明:****特色和优势:**原创 2024-05-23 10:16:48 · 115 阅读 · 0 评论 -
P7503BMG-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
P7503BMG-VB是一款N-Channel MOSFET,采用SOT23封装。- 开启电阻(RDS(ON)):30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V。1. **电源模块:** 用于电源开关、稳压器和DC-DC转换器。2. **驱动模块:** 在电机驱动、LED驱动等方面发挥作用。3. **通信模块:** 适用于无线通信设备、射频前端模块等。4. **电源管理:** 用于电池管理电路、电源逆变器等。- 阈值电压(Vth):1.2~2.2V。- 额定电压(VDS):30V。原创 2024-05-23 10:15:01 · 118 阅读 · 0 评论 -
P7004EM-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
**电源管理模块:** 由于其P—Channel设计和较大电流能力,可用于低电压电源管理模块。- **低电压、高电流:** 适用于要求较大电流的低电压电源和功率管理应用。- **DC-DC转换器:** 用于构建高效率、低电压的DC-DC转换器。- **P—Channel设计:** 适用于需要P型场效应晶体管的电路。- **低开启电阻:** 提供较低的导通电阻,适用于要求高效能的电路。- **电流控制应用:** 由于其低开启电阻,可用于电流控制电路。- **领域和模块应用:**- **应用简介:**原创 2024-05-23 10:13:09 · 291 阅读 · 0 评论 -
P6503FM-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **电源管理模块:** 由于其P—Channel沟道类型和适中的电流能力,P6503FM-VB可以用于电源管理模块中的负载开关,以实现有效的电源控制。2. **电流控制模块:** 适用于需要P—Channel MOSFET的电流控制模块,例如电流源和电流镜等电路。3. **通用放大器模块:** 在需要P—Channel MOSFET的通用放大器电路中,该器件也可能发挥作用。- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V。**领域和模块应用:**原创 2024-05-23 10:11:59 · 110 阅读 · 0 评论 -
P6403FMG-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
3. **电流控制模块:** 在需要P—Channel MOSFET进行电流控制的电路中,P6403FMG-VB可以发挥作用。2. **电池管理系统:** 由于低阈值电压和低导通电阻,该器件适用于电池管理系统,提供有效的电源开关控制。1. **电源开关模块:** P6403FMG-VB可用于设计高效的电源开关模块,如稳压器和开关电源。- **丝印:** VB2355。- **品牌:** VBsemi。- **封装:** SOT23。- 最大电流:-5.6A。- 额定电压:-30V。**详细参数说明:**原创 2024-05-23 10:09:37 · 294 阅读 · 0 评论 -
P6402FMG-VB一种P—Channel沟道SOT23封装MOS管
3. **电流控制模块:** 在需要P—Channel MOSFET进行电流控制的电路中,P6402FMG-VB可以发挥作用。2. **电池管理系统:** 由于低阈值电压和低导通电阻,该器件适用于电池管理系统,提供有效的电源开关控制。1. **电源开关模块:** P6402FMG-VB可用于设计高效的电源开关模块,如稳压器和开关电源。- **丝印:** VB2355。- **品牌:** VBsemi。- **封装:** SOT23。- 最大电流:-5.6A。- 额定电压:-30V。**详细参数说明:**原创 2024-05-23 10:08:35 · 246 阅读 · 0 评论 -
P6006HV-VB一款2个N—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
通过以上应用简介,可以看出P6006HV-VB在各个领域中都具有重要的应用价值,能够为电路和模块提供稳定可靠的功率控制和电流调节功能。参数:2个N—Channel沟道,60V,6A,RDS(ON)=27mΩ@VGS=10V,VGS=20V,Vth=1.5V。1. 电源管理模块:适用于电源开关、DC-DC转换器和稳压器等模块,如电池充电管理、手机充电器、笔记本电脑适配器等领域。3. LED照明控制:在LED照明控制器中,可用于电流调节和功率管理,如LED驱动器、照明灯控制等。**详细参数说明:**原创 2024-05-23 10:06:46 · 126 阅读 · 0 评论 -
P5806NVG-VB一款2个N—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
**LED照明控制模块:** 将该器件应用于LED灯的驱动电路中,用于控制LED灯的亮度和开关状态,实现对LED照明的精确控制。2. **电动工具驱动模块:** 在电动工具的电机驱动系统中,P5806NVG-VB可用于控制电机的开关,实现电动工具的高效驱动。3. **LED照明控制模块:** 在LED照明系统中,该器件可用于LED驱动电路的开关控制,实现对LED照明的亮度调节和控制。**丝印:** VBA3638。- **额定电流:** 6A。- **封装:** SOP8。原创 2024-05-23 10:04:56 · 259 阅读 · 0 评论 -
P5506NVG-VB一款N+P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. 电源逆变器:由于P5506NVG-VB具有双通道设计和较高的额定电压能力,可用于太阳能逆变器、电动车充电器等应用中,提供稳定可靠的电源转换和功率调节。P5506NVG-VB是一款具有N和P沟道的MOSFET,适用于各种电源管理、功率控制和电流调节应用。3. 工业自动化控制:P5506NVG-VB可用作工业自动化控制系统中的开关电路、电源管理模块等,用于PLC、机器人控制器等设备的电源控制和信号处理。- 开态电阻:28mΩ(在VGS=10V时,N沟道),51mΩ(在VGS=20V时,P沟道)原创 2024-05-23 10:03:51 · 91 阅读 · 0 评论 -
P5506HVG-VB一款2个N—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
具有低漏极-源极导通电阻、高额定工作电压和大连续漏极电流的特点,适用于要求高效能和高可靠性的电源管理和功率放大应用。1. 电源管理模块:适用于各种开关电源、DC-DC变换器和逆变器等电源管理模块中,用于控制和调节电流,提高电源效率。3. 工业控制系统:适用于工业自动化控制系统中的电机驱动、变频器和电源逆变器等模块,提高设备的性能和可靠性。2. LED照明系统:可用于LED驱动电路和照明控制模块中,提高照明系统的稳定性和能效。- 漏极-源极导通电阻:27mΩ @ VGS=10V, VGS=20V。原创 2024-05-23 10:02:18 · 359 阅读 · 0 评论 -
P5103EMG-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
这款产品可能在电源管理、放大器等领域的模块中发挥作用,具体应用取决于其特性和性能。- 主要特性: P—Channel沟道, 低阻态。- 类型: P—Channel沟道。- 阈值电压 (Vth): -1V。- 应用领域: [具体应用领域未提供]- 额定电流: -5.6A。- 额定电压: -30V。- 封装: SOT23。- 适用封装: SOT23。- 丝印: VB2355。- 品牌: VBsemi。原创 2024-05-23 10:01:07 · 400 阅读 · 0 评论 -
P5102FM-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **电源管理模块:** 由于P5102FM-VB具有P—Channel沟道,可用于电源管理电路中的功率开关,帮助实现高效的电源管理。4. **LED 驱动模块:** 在LED照明应用中,P5102FM-VB可用于设计LED驱动模块,提供可靠的电流控制和功率开关功能。3. **电流控制模块:** 作为P—Channel沟道晶体管,可用于电流控制模块的设计,例如电流调节电路,确保电流稳定控制。2. **电源开关模块:** 适用于电源开关模块的设计,如开关电源供应器,确保电路的高效开关和稳定输出。原创 2024-05-23 10:00:07 · 377 阅读 · 0 评论 -
P5002CMG-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
3. **电流控制模块:** 在需要控制电流的电路中使用,如电机驱动和LED控制。2. **驱动模块:** 作为驱动电路的一部分,用于控制其他电子元件的通断状态。**P5002CMG-VB 详细参数说明和应用简介:**- **型号:** P5002CMG-VB。- **类型:** N—Channel沟道。- **最大连续漏极电流:** 6A。- **品牌:** VBsemi。- **丝印:** VB1240。- **封装:** SOT23。- **工作电压:** 20V。**使用注意事项:**原创 2024-05-23 09:58:43 · 272 阅读 · 0 评论 -
P4506HV-VB一款2个N—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
由于其N-Channel沟道特性,适用于负载开关、电源管理、电池保护等领域。在这些应用中,P4506HV-VB可作为开关管,用于控制电流流动,并保护电路元件免受过载和短路等问题的损坏。P4506HV-VB是一款N-Channel沟道MOSFET,具有两个沟道。在VGS=10V和VGS=20V时,其导通电阻为27mΩ。门阈电压为1.5V。- 导通电阻: RDS(ON)=27mΩ@VGS=10V,VGS=20V。- 沟道类型: 2个N-Channel。- 门阈电压: Vth=1.5V。- 额定电压: 60V。原创 2024-05-23 09:57:37 · 185 阅读 · 0 评论 -
NVTR01P02T-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
适用于各种电源管理和开关电源应用,特别是在需要 P—Channel 沟道的场合。具有低导通电阻和高效率的特性,适用于对性能要求较高的应用。该器件在需要负载开关和电源管理的场景中表现出色,特别适用于对功耗、效率和空间有严格要求的应用。- **模块:** 电源逆变器、功率放大器、电池管理系统。- **领域:** 电源管理领域。- **丝印:** VB2290。- **品牌:** VBsemi。- 最大工作电压:-20V。- 封装:SOT23。- 最大电流:-4A。- **应用简介:**- **举例说明:**原创 2024-05-22 10:26:58 · 173 阅读 · 0 评论 -
NVTR01P02LT1G-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **电源管理模块:** 由于产品具有-20V的额定电压和-4A的额定电流,适用于电源管理模块,可用于开关电源、电池充放电管理等场景,提供高效、可靠的电源控制。2. **驱动模块:** 具有较低的开态电阻,适用于驱动模块,例如用于驱动电机、LED等,可在高电流负载下实现低损耗。3. **电流控制模块:** 由于阈值电压较低,适用于电流控制模块,例如用于LED驱动电流控制,实现精准的电流调节。4. **汽车电子:** 用于汽车电子系统中的电源管理和驱动控制,提供高性能的汽车电子解决方案。原创 2024-05-22 10:25:33 · 290 阅读 · 0 评论 -
NVR4003NT-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
3. **汽车电子:** 在汽车电子控制单元(ECU)中有潜在应用。3. **LED驱动:** 在照明领域,可用于LED驱动电路。1. **工业自动化:** 用于各种自动化设备和控制系统。2. **消费电子:** 可应用于电源适配器、电池管理等。2. **电机驱动:** 适用于直流电机控制和驱动电路。1. **电源模块:** 用于开关电源、稳压器等模块。**VB1330/NVR4003NT-VB参数:**4. **电源开关:** 适用于各种电源开关应用。- 额定电压(VDS):30V。原创 2024-05-22 10:24:11 · 129 阅读 · 0 评论 -
NVR4003NT3G-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
3. **电池管理模块:** 用于锂电池管理模块,确保电池充放电的安全性。1. **电源管理:** 用于电源开关、稳压器和 DC-DC 变换器。1. **电源模块:** 适用于各种电源模块,提供高效率的电源转换。2. **LED 驱动模块:** 用于 LED 照明系统的驱动电路。3. **LED 驱动:** 作为 LED 驱动电路的关键组件。2. **电池管理:** 在锂电池充放电保护电路中得到应用。4. **电机控制:** 在电机驱动和控制电路中使用。**详细参数说明:****典型应用领域:**原创 2024-05-22 10:22:11 · 260 阅读 · 0 评论 -
NVR1P20T1-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **电源管理模块:** 由于其P—Channel性质和低漏极电阻,NVR1P20T1-VB可用于电源开关和调节电路,提高电源模块的效率。2. **电机驱动模块:** 在需要高效能量转换和电机控制的领域,NVR1P20T1-VB可作为电机驱动模块中的关键元件。- **型号:** NVR1P20T1-VB。- **沟道类型:** P—Channel。- **最大漏极-源极电压:** -20V。- **最大漏极电流:** -4A。- **品牌:** VBsemi。- **封装:** SOT23。原创 2024-05-22 10:20:48 · 342 阅读 · 0 评论 -
NTRV4101PT-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
3. **DC-DC 转换器:** 由于其低导通电阻和高漏极电流特性,NTRV4101PT-VB 适用于构建高效能的 DC-DC 转换器。2. **电池管理模块:** 在电池充电和放电管理中,NTRV4101PT-VB 可以作为电荷开关,有效控制电池充电和放电过程。4. **电动汽车电池管理:** 在电动汽车中,NTRV4101PT-VB 可以用于电池管理系统,确保电池的高效充放电。1. **电源管理模块:** NTRV4101PT-VB 可以用于电源管理模块中的开关电源电路,实现高效能的功率转换。原创 2024-05-22 10:17:52 · 202 阅读 · 0 评论 -
NTR4503NT3G-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
NTR4503NT3G-VB是一款N-Channel MOSFET,采用SOT23封装。- 开启电阻(RDS(ON)):30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V。1. **电源模块:** 用于电源开关、稳压器和DC-DC转换器。2. **驱动模块:** 在电机驱动、LED驱动等方面发挥作用。3. **通信模块:** 适用于无线通信设备、射频前端模块等。4. **电源管理:** 用于电池管理电路、电源逆变器等。- 阈值电压(Vth):1.2~2.2V。- 额定电压(VDS):30V。原创 2024-05-22 10:14:33 · 268 阅读 · 0 评论 -
NTR4501NT3G-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **电源管理模块:** 由于其低导通电阻和适中的电流容量,NTR4501NT3G-VB可用于电源管理模块,提高功率转换效率。3. **电池保护:** 在电池管理电路中,NTR4501NT3G-VB的低阈值电压和低导通电阻使其成为电池保护模块的理想选择。2. **电源开关模块:** 适用于各种开关电源模块,可实现有效的电源控制和管理。- **型号:** NTR4501NT3G-VB。- **品牌:** VBsemi。- **丝印:** VB1240。- **封装:** SOT23。**领域和应用:**原创 2024-05-22 10:13:24 · 171 阅读 · 0 评论 -
NTR4171PT3G-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
3. **电流控制模块:** 在需要P—Channel MOSFET进行电流控制的电路中,NTR4171PT3G-VB可以发挥作用。1. **电源开关模块:** NTR4171PT3G-VB可用于设计高效的电源开关模块,如稳压器和开关电源。2. **电池管理系统:** 由于低阈值电压和低导通电阻,该器件适用于电池管理系统,提供有效的电源开关控制。- **丝印:** VB2355。- **品牌:** VBsemi。- **封装:** SOT23。- 额定电压:-30V。**详细参数说明:**原创 2024-05-22 10:11:50 · 248 阅读 · 0 评论 -
NTR4170NT3G-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
具有低开通电阻(RDS(ON) = 30mΩ),在不同电压(VGS=10V、VGS=20V)下均表现出色。- **模块应用:** 适用于SOT23封装的电路板和模块设计,特别在需要N沟道场效应晶体管的场景。- 开通电阻:RDS(ON) = 30mΩ @ VGS = 10V, VGS = 20V。- **领域:** 电子设备制造、电源管理、工业控制等。- 阈值电压:Vth = 1.2~2.2V。- **丝印:** VB1330。- **品牌:** VBsemi。- **应用简介:****详细参数说明:**原创 2024-05-22 10:09:31 · 200 阅读 · 0 评论