**VBsemi 30N06-TO252-VB 产品详细参数说明:**
- **丝印标识:** VBE1638
- **品牌:** VBsemi
- **封装:** TO252
- **通道类型:** N—Channel沟道
- **漏极-源极电压(V<sub>DS</sub>):** 60V
- **漏极-源极电流(I<sub>D</sub>):** 45A
- **导通电阻(R<sub>DS(ON)</sub>):** 24mΩ @ V<sub>GS</sub>=10V, 24mΩ @ V<sub>GS</sub>=20V
- **阈值电压(V<sub>th</sub>):** 1.8V
**应用简介:**
VBsemi 30N06-TO252-VB 是一款TO252封装的N—Channel沟道场效应晶体管(MOSFET),适用于中功率开关电源和电机驱动应用。
**主要应用领域和模块:**
1. **电源开关模块:** 适用于中功率直流-直流(DC-DC)变换器、电源开关控制等。
2. **电机驱动模块:** 可用于中功率电机驱动,提供适中电流和低导通电阻的特性。
**作用:**
- 提供中功率开关控制功能。
- 用于中功率电机驱动模块,支持高效率和中功率应用。
**使用注意事项:**
1. **电压等级:** 在规定的电压范围内使用,不要超过产品标称的最大漏极-源极电压。
2. **电流负载:** 注意电流负载不要超过产品的额定电流。
3. **工作温度:** 在规定的工作温度范围内使用,避免超温操作。
以上信息仅为参考,实际使用时请仔细阅读产品手册和规格书,确保正确使用,并遵循厂商的建议和注意事项。