【LR120N-VB】&【NTF3055L108T1G-VB】MOSFET参数对比及应用领域解析

NTF3055L108T1G-VB：
- 丝印: VBJ1695
- 品牌: VBsemi
- 参数:
  - N沟道,60V,4A
  - RDS(ON): 76mΩ@10V, 85mΩ@4.5V, 20Vgs(±V)
  - 1.53Vth(V)
  - 封装: SOT223

LR120N-VB：
- 丝印: VBE1101M
- 品牌: VBsemi
- 参数:
  - N沟道,100V,18A
  - RDS(ON): 115mΩ@10V, 121mΩ@4.5V, 20Vgs(±V)
  - 1.6Vth(V)
  - 封装: TO252

产品中文详细参数介绍与应用简介：
- NTF3055L108T1G-VB: 适用于低电压、中功率场景，具有相对较低的导通电阻和适中的阈值电压，适合一些中小功率的应用。
- LR120N-VB: 具有较高的电压和电流承受能力，适用于高功率应用，导通电阻相对较低。

对比两款产品：
- NTF3055L108T1G-VB适用于中小功率场景，导通电阻相对较低，适合处理中小功率的应用。
- LR120N-VB适用于高功率场景，具有较高的电流和电压承受能力，适合处理大功率的应用。

差异性与优劣性：
- NTF3055L108T1G-VB优势在于适用于中小功率场景，导通电阻较低。
- LR120N-VB优势在于适用于高功率场景，具有较高的电流和电压承受能力。
- 差异性取决于具体应用场景和需求，选择时需根据实际情况做出权衡。