BSS169-VB是VBsemi品牌的N沟道场效应晶体管,具有以下参数:
- 额定电压(Vds):100V
- 额定电流(Id):2A
- 开通电阻(RDS(ON)):246mΩ@10V,260mΩ@4.5V
- 门源电压范围(Vgs):20V(±)
- 阈值电压(Vth):2V
- 封装:SOT23
FQD20N06-VB同样是VBsemi品牌的N沟道场效应晶体管,具有以下参数:
- 额定电压(Vds):60V
- 额定电流(Id):45A
- 开通电阻(RDS(ON)):24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
- 门源电压范围(Vgs):20V(±)
- 阈值电压(Vth):1.8V
- 封装:TO252
**生成的产品中文详细参数介绍与应用简介:**
- **BSS169-VB:**
- 高额定电压(100V),适用于高压应用场景。
- 低额定电流(2A),适用于小功率应用。
- 适用于20Vgs的门源电压。
- **FQD20N06-VB:**
- 中等额定电压(60V),适用于中压应用场景。
- 高额定电流(45A),适用于高功率应用。
- 适用于20Vgs的门源电压。
**差异性与优劣性:**
- **应用领域:**
- BSS169-VB适合低功率、高压的应用场景。
- FQD20N06-VB适用于高功率、中等电压的场景。
- **性能参数:**
- BSS169-VB具有较高的额定电压,但额定电流相对较低。
- FQD20N06-VB在高功率应用中有更高的额定电流。
- **封装:**
- BSS169-VB采用SOT23封装,适合空间受限的设计。
- FQD20N06-VB采用TO252封装,可能对散热性能有更高的要求。
选择取决于具体应用的电压、电流、功率等要求,以及对导通损耗和封装大小的限制。