2SJ461-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

2SJ461-VB是VBsemi品牌的P—Channel沟道场效应晶体管，主要参数如下：
- 封装：SOT23
- 额定电压：-60V
- 额定电流：-0.5A
- RDS(ON)：3000mΩ@VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压：-1.87V

**应用简介：**
适用于低功耗、小尺寸的电子设备，特别是在需要P—Channel沟道场效应晶体管的场合。

**例子：**
1. **电源管理模块：** 由于低静态功耗和小封装，适用于电源开关和调节模块，有助于提高系统效率。
2. **信号放大模块：** 可用于信号放大电路，提供良好的放大性能。
3. **小型电子设备：** 例如便携式电子产品，如智能手机、平板电脑等，可以通过其小尺寸和低功耗特性实现优越的性能。