GE2300-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管

VBsemi GE2300-VB 晶体管：

- 类型：N-Channel 沟道
- 额定电压：20V
- 额定电流：6A
- RDS(ON)：24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V
- 阈值电压：0.45~1V
- 封装：SOT23

应用简介：
该晶体管适用于各种电子模块，特别是需要 N-Channel 沟道的应用。由于其低阻态时的 RDS(ON) 和适中的电压/电流额定值，可用于功率开关和放大电路。

领域和模块应用：
1. 电源模块：适用于电源开关和调节器。
2. 驱动器模块：可用于电机驱动和其他电子设备的驱动电路。
3. LED 照明模块：用于 LED 驱动电路。
4. 通信模块：在通信设备中作为功率放大器或开关元件。
5. 工控模块：可用于工业控制系统的电路设计。

这些晶体管广泛应用于需要 N-Channel 沟道 MOSFET 的各种领域和电子模块中。