J168-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

**J168-VB Transistor**

- **丝印（Silkscreen）:** VB264K
- **品牌（Brand）:** VBsemi
- **参数（Parameters）:**
  - 封装类型（Package Type）: SOT23
  - 沟道类型（Channel Type）: P—Channel
  - 最大承受电压（Maximum VDS）: -60V
  - 最大漏极电流（Maximum ID）: -0.5A
  - RDS(ON)：3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
  - 阈值电压（Threshold Voltage）: -1.87V

- **封装（Package）:** SOT23

**详细参数说明和应用简介：**

J168-VB是一款P—Channel沟道MOSFET，采用SOT23封装。其最大承受电压为-60V，最大漏极电流为-0.5A。在VGS=10V和VGS=20V时，RDS(ON)分别为3000mΩ，阈值电压为-1.87V。

**应用领域和示例：**

1. **电源开关模块：** 适用于电源开关模块，例如在电子设备中用作电源开关，以实现高效的电源管理。

2. **DC-DC变换器：** 可用于DC-DC变换器模块，有助于提高电能转换效率。

3. **电池管理系统：** 在需要P—Channel MOSFET进行电池管理的场景中，如过放电保护和充电控制。

4. **模拟信号开关：** 由于其高承受电压和较低的漏极电流，适用于模拟信号开关，用于信号放大电路。

5. **LED照明控制：** 在LED照明系统中，可用于控制LED灯的亮度和开关。

请注意，以上示例仅为参考，实际应用可能因具体设计要求而异。在设计中，请始终参考数据手册和规格说明以确保正确使用和性能。