J210-T1B-A-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

**产品型号：** J210-T1B-A-VB

**丝印：** VB264K

**品牌：** VBsemi

**参数：**
- 封装：SOT23
- 沟道类型：P—Channel
- 最大耐压：-60V
- 最大电流：-0.5A
- 开态电阻：RDS(ON) = 3000mΩ @ VGS = 10V, VGS = 20V
- 阈值电压：Vth = -1.87V

**应用简介：**
VBsemi的J210-T1B-A-VB是一款SOT23封装的P—Channel沟道场效应晶体管。其适用于各种电源管理和开关电路的应用，具有较低的开态电阻和适中的电流容限，使其在不同领域的模块中有广泛的应用。

**示例应用场景：**
1. **电源管理模块：** 由于J210-T1B-A-VB具有较高的耐压和适中的电流容限，可用于电源管理模块中的过载保护和电源开关。

2. **LED照明控制模块：** 在LED驱动电路中，该器件可作为开关元件，控制LED的通断状态，实现照明的调光和调色。

3. **电池管理模块：** 适用于便携式设备的电池管理模块，实现对电池充放电的精确控制，提高电池寿命。

4. **电流控制模块：** 由于其P—Channel沟道类型和低开态电阻，可用于精确电流控制的模块，如电流源或电流调节器。

请注意，具体应用需根据产品手册和相关设计要求进行详细评估。