MVGSF1N03LT1G-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管

型号: MVGSF1N03LT1G-VB

丝印: VB1240

品牌: VBsemi

参数:
- 封装: SOT23
- 类型: N-沟道MOSFET
- 额定电压(V): 20
- 最大电流(A): 6
- 开态电阻(RDS(ON)): 24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V
- 阈值电压(Vth): 0.45~1V

封装: SOT23

详细参数说明和应用简介:
MVGSF1N03LT1G-VB是一款N-沟道MOSFET，采用SOT23封装。具有20V的额定电压，最大电流为6A，开态电阻(RDS(ON))为24mΩ，阈值电压(Vth)在0.45~1V范围内。

应用领域:
该产品适用于需要在低电压和高电流条件下工作的电子设备。常见应用领域包括电源模块、电源管理、电流控制等。

模块应用:
1. **电源模块**: 可用于设计紧凑型、高效率的电源模块。
2. **电源管理**: 适用于电源管理电路，提供高效的电源控制。
3. **电流控制模块**: 在需要可靠的电流控制的场景下发挥作用。

注意: 在使用前，请仔细阅读产品手册和规格书，确保产品符合具体应用的要求。