型号: MVGSF1N03LT1G-VB
丝印: VB1240
品牌: VBsemi
参数:
- 封装: SOT23
- 类型: N-沟道MOSFET
- 额定电压(V): 20
- 最大电流(A): 6
- 开态电阻(RDS(ON)): 24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V
- 阈值电压(Vth): 0.45~1V
封装: SOT23
详细参数说明和应用简介:
MVGSF1N03LT1G-VB是一款N-沟道MOSFET,采用SOT23封装。具有20V的额定电压,最大电流为6A,开态电阻(RDS(ON))为24mΩ,阈值电压(Vth)在0.45~1V范围内。
应用领域:
该产品适用于需要在低电压和高电流条件下工作的电子设备。常见应用领域包括电源模块、电源管理、电流控制等。
模块应用:
1. **电源模块**: 可用于设计紧凑型、高效率的电源模块。
2. **电源管理**: 适用于电源管理电路,提供高效的电源控制。
3. **电流控制模块**: 在需要可靠的电流控制的场景下发挥作用。
注意: 在使用前,请仔细阅读产品手册和规格书,确保产品符合具体应用的要求。