ST2301DS23RG-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

**ST2301DS23RG-VB**

- **丝印：** VB2290
- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
  - 封装：SOT23
  - 沟道类型：P—Channel
  - 额定电压：-20V
  - 额定电流：-4A
  - 导通电阻：RDS(ON) = 57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
  - 阈值电压：Vth = -0.81V

**封装：** SOT23

**应用简介：**
ST2301DS23RG-VB是一款SOT23封装的P—Channel沟道场效应晶体管。其特性包括低导通电阻、适用于-20V的额定电压、-4A的额定电流，以及在不同门源电压下的性能表现。

**适用领域和模块示例：**
1. **电源开关模块：** 由于低导通电阻和适中的额定电压，ST2301DS23RG-VB可用于电源开关模块，提高功率转换效率。

2. **电池保护：** 在需要P—Channel MOSFET的电池保护模块中，通过控制电流和电压，实现对电池的有效保护。

3. **信号放大器：** 用于需要P—Channel MOSFET的信号放大器模块，有助于实现信号调节和放大。

请根据具体电路设计和参数匹配选择合适的应用领域。