TDM2302SAC-TRL-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管

**产品型号:** TDM2302SAC-TRL-VB

**丝印:** VB1240

**品牌:** VBsemi

**参数:**
- **封装类型:** SOT23
- **沟道类型:** N—Channel
- **额定电压:** 20V
- **额定电流:** 6A
- **导通电阻(RDS(ON)):** 24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V
- **阈值电压(Vth):** 0.45~1V

**封装:** SOT23

**详细参数说明:**
TDM2302SAC-TRL-VB是一款N-沟道场效应晶体管,采用SOT23封装。其额定电压为20V,额定电流为6A,具有优异的导通电阻性能,RDS(ON)为24mΩ @ VGS=4.5V和VGS=8V。阈值电压(Vth)在0.45~1V范围内可调,适用于多种电源控制和开关应用。

**应用简介:**
TDM2302SAC-TRL-VB适用于需要高性能N-沟道MOSFET的各种领域和模块,包括但不限于:
1. **电源管理模块:** 在DC-DC转换器、电源适配器和开关稳压器等模块中,TDM2302SAC-TRL-VB可用于提高效率和降低导通损耗。
2. **电机驱动:** 作为电机驱动电路中的开关器件,确保高效率和可靠性。
3. **LED照明:** 在LED驱动电路中,通过控制LED的电流,实现亮度调节和能效优化。

**举例说明:**
在LED照明领域,TDM2302SAC-TRL-VB可作为LED驱动电路中的开关器件。通过调整阈值电压,可以灵活控制LED的亮度。其低导通电阻和高额定电流使其适用于要求高效率和可靠性的LED照明模块。

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