TPS1120DRG4-VB一款SOP8封装2个P—Channel场效应MOS管

**VBsemi TPS1120DRG4-VB 产品详细参数说明：**

- **产品型号：** TPS1120DRG4-VB
- **丝印标识：** VBA4338
- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
  - 沟道类型：2个P—Channel
  - 最大耐压：-30V
  - 额定电流：-7A
  - 导通电阻：35mΩ @ VGS=10V, 35mΩ @ VGS=20V
  - 阈值电压：-1.5V

- **封装：** SOP8

**应用简介：**

VBsemi的TPS1120DRG4-VB是一款卓越的双P—Channel沟道功率MOSFET，适用于多种电源和功率管理应用。其特性使其在以下领域具有广泛的应用：

1. **电源开关模块：** TPS1120DRG4-VB的双P—Channel沟道特性使其成为电源开关模块的理想选择，提供高效的电源开关和能量管理。

2. **便携式医疗设备：** 产品在电流和电压方面的优异性能使其成为便携式医疗设备中功率管理模块的理想选择，确保设备高效、可靠运行。

3. **汽车电子系统：** 在汽车电子系统中，TPS1120DRG4-VB可用于电源管理和电流控制，确保车辆电子设备的可靠性和高效性能。

4. **LED照明驱动：** 适用于LED照明驱动模块中的功率开关和电流管理，提供高效的LED照明控制。

VBsemi的TPS1120DRG4-VB通过其卓越的性能和可靠性，为多个领域和模块提供了高效的电源和功率管理解决方案。