UTT4407G-S08-R-VB一款SOP8封装P—Channel场效应MOS管

VBsemi P-沟道MOSFET UTT4407G-S08-R-VB 具有-30V的电压额定值，-11A的电流承受能力，以及在VGS=10V和VGS=20V时的低RDS(ON)为10mΩ。该器件采用SOP8封装，印有标识符VBA2311。

**详细规格：**
- 电压额定值：-30V
- 电流承受能力：-11A
- RDS(ON)：在VGS=10V和VGS=20V时为10mΩ
- 阈值电压（Vth）：-1.42V

**封装：**
- SOP8

**应用范围：**
1. **电源逆变器：** 适用于电源逆变器，可有效管理负载，实现高效的能量转换。

2. **电源开关模块：** 在电源开关模块中可用于可靠的电源开关控制。

3. **电池保护电路：** 用于设计电池保护电路，确保电池安全运行。

4. **汽车电子系统：** 具备负载驱动能力，可应用于汽车电子系统中的电源管理和控制。

**注意：** 为了获得最佳性能，请确保兼容性并遵循数据手册中的推荐工作条件。