以下是VBsemi公司的MOSFET产品04CNE8N-VB的详细信息:
1. 产品简介:
04CNE8N-VB是一款单N沟道(Single-N-Channel)MOSFET,采用Trench技术制造,适用于各种领域和模块的电路设计。其主要特点包括80V的漏极-源极电压(VDS)、20V的栅极-源极电压(VGS)、3V的阈值电压(Vth)、10mΩ@VGS=4.5V和6mΩ@VGS=10V的导通电阻(RDS(ON))、以及120A的漏极电流(ID)。
2. 参数说明:
- 型号:04CNE8N-VB
- 封装:TO263
- 极性:N沟道
- 漏极-源极电压(VDS):80V
- 栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):3V
- 导通电阻(RDS(ON)):10mΩ@VGS=4.5V、6mΩ@VGS=10V
- 漏极电流(ID):120A
- 技术:Trench
3. 应用举例:
04CNE8N-VB适用于多种领域和模块,例如:
- 电源管理:适用于高电压和高电流的电源开关和稳压器。
- 电机驱动:用于高性能电动工具、电动汽车和工业机械的电机控制。
- 车载电子:适用于汽车电子系统中的电源管理和驱动控制。
- 工业控制:用于工业自动化和机器人控制等领域。
以上是04CNE8N-VB MOSFET产品的详细信息及其适用领域和模块的举例说明。