04N03LA-VB TO220一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介：
VBsemi的04N03LA-VB是一款TO220封装的单N沟道场效应晶体管（MOSFET）。该器件具有30V的漏极-源极电压（VDS）、20V的栅极-源极电压（VGS，正负值）、1.7V的阈值电压（Vth）、4mΩ@VGS=4.5V和3mΩ@VGS=10V的导通电阻（RDS(ON)）、以及120A的漏极电流（ID）。采用了沟槽工艺（Trench Technology），在高电压下具有良好的性能和可靠性。

### 参数说明：
- 封装：TO220
- 类型：单N沟道
- VDS（漏极-源极电压）：30V
- VGS（栅极-源极电压）：±20V
- 阈值电压（Vth）：1.7V
- RDS(ON)：4mΩ@VGS=4.5V，3mΩ@VGS=10V
- ID（漏极电流）：120A
- 工艺：沟槽工艺

### 适用领域和模块：
- 电源管理模块：由于其较低的导通电阻和较高的漏极电流，04N03LA-VB适用于电源管理模块，如直流-直流（DC-DC）变换器和开关稳压器。
- 电机驱动模块：在需要高电流输出的电机驱动模块中，04N03LA-VB可以提供可靠的功率开关控制。
- 汽车电子：在汽车电子领域，由于其耐高温、高电压和高电流的特性，04N03LA-VB常被应用于汽车引擎控制单元（ECU）、照明系统和电动机控制器等模块中。
- 工业控制：在需要高功率开关控制的工业控制系统中，04N03LA-VB可以提供可靠的性能。