0903GM-VB是一款SOP8封装的单路N沟道MOSFET,具有30V的漏极-源极电压(VDS)、20V的栅极-源极电压(VGS,±),以及1.7V的阈值电压(Vth)。其在VGS=4.5V时的导通电阻RDS(ON)为11mΩ,在VGS=10V时为8mΩ,最大漏极电流ID为13A。采用槽沟技术(Trench)制造。
产品简介:
0903GM-VB是一款高性能的单路N沟道MOSFET,具有低漏极-源极电压和导通电阻,适用于要求高效率和高可靠性的应用场合。其SOP8封装设计使其易于安装和散热,广泛应用于各种领域和模块中。
详细参数说明:
- 封装:SOP8
- 结构:单路N沟道
- VDS(漏极-源极电压):30V
- VGS(栅极-源极电压):20V(±)
- 阈值电压(Vth):1.7V
- RDS(ON)(导通电阻):11mΩ @ VGS=4.5V,8mΩ @ VGS=10V
- 最大漏极电流(ID):13A
- 工艺技术:槽沟技术(Trench)
应用示例:
1. 电源管理:用于高效的DC-DC转换器和电源开关。
2. 电机驱动:用于电动工具,电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的电机驱动。
3. 照明应用:用于LED驱动器和电子镇流器。
4. 消费电子:用于平板电脑,智能手机和数字相机等设备中的功率管理模块。
这些示例表明,0903GM-VB适用于需要低电压降和高电流驱动的各种应用领域和模块。