100N03MS-VB是一款DFN8(5X6)封装的单路N沟道MOSFET,具有30V的漏极-源极电压(VDS)、20V的栅极-源极电压(VGS,±),以及1.7V的阈值电压(Vth)。其在VGS=4.5V时的导通电阻RDS(ON)为9mΩ,在VGS=10V时为7mΩ,最大漏极电流ID为80A。采用槽沟技术(Trench)制造。
产品简介:
100N03MS-VB是一款高性能的单路N沟道MOSFET,具有低漏极-源极电压和导通电阻,适用于要求高功率和高可靠性的应用场合。其DFN8(5X6)封装设计使其适用于小尺寸应用,并具有良好的散热性能,广泛应用于各种领域和模块中。
详细参数说明:
- 封装:DFN8(5X6)
- 结构:单路N沟道
- VDS(漏极-源极电压):30V
- VGS(栅极-源极电压):20V(±)
- 阈值电压(Vth):1.7V
- RDS(ON)(导通电阻):9mΩ @ VGS=4.5V,7mΩ @ VGS=10V
- 最大漏极电流(ID):80A
- 工艺技术:槽沟技术(Trench)
应用示例:
1. 电源模块:用于高功率电源管理模块和DC-DC转换器中的功率开关。
2. 电动工具:用于高性能电动工具的电机驱动。
3. 汽车电子:用于汽车电子系统中的电源管理和电机控制。
4. 工业控制:用于工业自动化和机械设备控制中的功率开关。
这些示例表明,100N03MS-VB适用于需要高电压和电流驱动的各种高功率应用领域和模块,特别适合于小尺寸和高功率密度要求的应用场合。