## 产品简介:
VBsemi的MOSFET产品114N12N-VB是一款单N沟道MOSFET,采用了Trench技术,具有100V的漏极-源极电压(VDS)和100A的漏极电流(ID)能力。该产品在TO220封装中提供,适用于需要高性能的功率电子应用。
## 参数说明:
- 封装:TO220
- 构型:单N沟道
- 漏极-源极电压(VDS):100V
- 栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):2.5V
- 导通电阻(RDS(ON)):20mΩ @ VGS=4.5V;9mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流(ID):100A
- 技术:Trench
## 应用领域和模块:
1. **电源模块**:114N12N-VB的低导通电阻和高漏极电流使其非常适合用于开关电源模块,如DC-DC转换器和AC-DC变换器。
2. **电动工具**:由于其高漏极电流和低导通电阻,114N12N-VB可以用于电动工具,如电钻、电锤等,提供高效率和可靠性。
3. **电动汽车**:作为电动汽车中的功率开关器件,114N12N-VB可以用于控制电机和电池管理系统,支持高功率密度和能效。
4. **工业自动化**:在工业自动化设备中,114N12N-VB可用于电机控制、电源管理和逆变器等模块,提供稳定的电力输出。
5. **照明应用**:114N12N-VB适用于LED驱动器和其他照明电源,能够提供高效的功率转换和可靠性。
以上是对114N12N-VB MOSFET产品的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块的介绍。