### 11N03LA-VB MOSFET 产品简介
VBsemi的11N03LA-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO220封装技术。这种MOSFET在30V的漏源电压(VDS)和20V(±V)的栅源电压(VGS)下工作。其开态电阻(RDS(ON))在栅源电压为4.5V时为10mΩ,在栅源电压为10V时为7mΩ。该器件的额定电流(ID)为70A,采用了先进的Trench技术,具有低导通电阻和高效率的特点,非常适合高功率、高频率的应用场景。
### 11N03LA-VB MOSFET 参数说明
- **型号:** 11N03LA-VB
- **封装:** TO220
- **配置:** 单N沟道
- **漏源电压(VDS):** 30V
- **栅源电压(VGS):** 20(±V)
- **阈值电压(Vth):** 1.7V
- **开态电阻(RDS(ON))@VGS=4.5V:** 10mΩ
- **开态电阻(RDS(ON))@VGS=10V:** 7mΩ
- **额定电流(ID):** 70A
- **技术:** Trench
### 11N03LA-VB MOSFET 应用领域及模块示例
1. **电源管理:**
11N03LA-VB MOSFET适用于电源管理模块,特别是在直流-直流转换器和不间断电源(UPS)中。其高额定电流和低导通电阻使其能够处理高功率转换需求,提升系统的效率和稳定性。
2. **电动车辆:**
在电动车辆的电动驱动系统中,11N03LA-VB MOSFET可用于控制电动机的电流。其高额定电流和低导通电阻使其能够有效地控制电机的运行,提高电动车辆的性能和效率。
3. **工业自动化:**
在工业自动化设备中,11N03LA-VB MOSFET可用于控制各种电动执行器,如电机和气缸。其高可靠性和高效率使其成为工业自动化系统的重要组成部分。
4. **电源逆变器:**
在太阳能逆变器和电网逆变器中,11N03LA-VB MOSFET可用于转换直流电为交流电。其低导通电阻和高效率使其能够提供稳定的电源输出,提高逆变器的性能和可靠性。
通过这些应用领域和模块的实例,11N03LA-VB MOSFET展示了其在多种高功率和高效能需求场景中的适用性,成为各类电子系统中不可或缺的核心组件。