19NM50N-VB TO247一款N-Channel沟道TO247的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**产品简介：**
VBsemi的19NM50N-VB是一款TO247封装的单N沟道MOSFET。它具有500V的漏极-源极电压（VDS）和30V的门极-源极电压（VGS）。采用了SJ_Multi-EPI技术，具有优异的性能和可靠性，适用于中高压应用场合。

**详细参数：**
- 封装：TO247
- 构型：单N沟道
- VDS（漏极-源极电压）：500V
- VGS（门极-源极电压）：±30V
- Vth（阈值电压）：3.8V
- RDS(ON)（导通电阻）：80mΩ@VGS=10V
- ID（漏极电流）：40A
- 技术：SJ_Multi-EPI

**适用领域和模块示例：**
- **电源逆变器**：19NM50N-VB适用于中高压逆变器中的功率开关，提供可靠的功率转换和管理。
- **工业控制**：可用于工业控制系统中的电源开关模块，提供高效的电源转换和管理。
- **电力传输**：适用于电力传输系统中的功率开关模块，提供可靠的电力传输和控制。
- **LED照明**：19NM50N-VB可以用于LED照明系统中的功率开关，实现高效的LED光源控制和调节。

以上是对19NM50N-VB的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块的语段形式举例说明。