19NM65N-VB TO220一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

VBsemi 19NM65N-VB TO220 MOSFET产品简介：

19NM65N-VB TO220是一款单N沟道场效应管，具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS）（±V），3.5V的阈值电压（Vth），160mΩ@VGS=10V的导通电阻（RDS(ON)），以及20A的漏极电流（ID）。采用了SJ_Multi-EPI技术。

详细参数说明：
- 封装：TO220
- 类型：单N沟道（Single-N-Channel）
- VDS（漏极-源极电压）：650V
- VGS（栅极-源极电压）：30V（±V）
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 导通电阻（RDS(ON)）：160mΩ@VGS=10V
- 漏极电流（ID）：20A
- 技术：SJ_Multi-EPI

适用领域和模块示例：
1. 电源模块：19NM65N-VB TO220适用于中功率电源模块，如开关电源和逆变器设计。
2. 照明应用：可用于LED驱动器和照明系统，实现高效能量转换和亮度控制。
3. 汽车电子：适用于汽车电子模块，如电动汽车充电器和车载电源管理器。
4. 工业控制：在工业自动化和机器人领域，该器件可用于中功率开关电路和电机控制器设计。
5. 太阳能逆变器：用于太阳能逆变器模块，实现太阳能电池板的能量转换和管理。

这些是19NM65N-VB TO220 MOSFET在各个领域和模块上的一些示例应用。