200N03-VB一款N+N-Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介：

VBsemi的200N03-VB是一款双N沟道MOSFET，具有高性能和可靠性。采用Trench技术，适用于各种领域和模块的应用。

### 详细参数说明：

- **包装**：SOP8
- **结构**：双N沟道
- **漏极-源极电压（VDS）**：30V
- **栅极-源极电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：20mΩ @ VGS=4.5V；16mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）**：8.5A
- **技术**：Trench

### 应用示例：

1. **电源管理**：由于其低导通电阻和高漏极电流，200N03-VB适用于功率管理模块，如电源开关和稳压器。

2. **电池保护**：在电池保护电路中，这款MOSFET可以用作开关管，实现对电池的有效保护。

3. **DC-DC转换器**：在DC-DC转换器中，这款MOSFET可以用于控制电能转换，提高转换效率。

4. **汽车电子**：在汽车电子领域，这款MOSFET可以用于汽车电子控制单元（ECU）中的功率输出控制。

5. **LED驱动器**：在LED照明应用中，这款MOSFET可以用作驱动器，提供稳定的电流输出。

以上是200N03-VB的产品简介、详细参数说明和应用示例。