20N50L-T3P-T-VB一款N-Channel沟道TO247的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 20N50L-T3P-T-VB 产品简介

20N50L-T3P-T-VB 是一款高压高功率单 N-沟道 MOSFET，采用 SJ_Multi-EPI 技术，封装形式为 TO247。具有较低的导通电阻和较高的漏极电流承载能力，适用于高压高功率的电源开关和驱动应用。

### 20N50L-T3P-T-VB 详细参数说明

- **封装**: TO247
- **配置**: 单 N-沟道
- **VDS**: 500V
- **VGS**: ±30V
- **Vth (阈值电压)**: 3.8V
- **RDS(ON)**: 80mΩ @ VGS = 10V
- **ID (漏极电流)**: 40A
- **技术**: SJ_Multi-EPI

### 20N50L-T3P-T-VB 应用领域和模块示例

1. **电源开关**
   - **工业电源系统**: 20N50L-T3P-T-VB 可用于高压高功率工业电源系统中的开关元件，如逆变器和电源转换器，提供高效的电能转换和稳定的电源输出。

2. **电机驱动**
   - **电动汽车**: 在电动汽车中，20N50L-T3P-T-VB 可用于电机驱动系统中的控制器，实现电机的高效驱动和节能运行。

3. **电力调节**
   - **变压器调节**: 20N50L-T3P-T-VB 可用于变压器调节系统中的功率开关，实现对电力的精确调节和控制。

4. **电力传输**
   - **高压输电系统**: 在高压输电系统中，20N50L-T3P-T-VB 可用于电力开关和控制，确保电力传输的稳定和高效。

5. **照明应用**
   - **户外照明**: 20N50L-T3P-T-VB 可用于户外照明系统中的电源开关和控制，提供高亮度和长寿命的照明解决方案。

20N50L-T3P-T-VB 在工业电源、电动汽车、电力调节、电力传输和照明应用等领域展现了其高压高功率的优势和可靠性，为各种高功率应用提供了高效能量转换和电流控制的解决方案。