2508P-VB一种P+P-Channel沟道TSSOP8封装MOS管

### 一、产品简介

2508P-VB 是 VBsemi 生产的一款双P+P-沟道MOSFET，封装为TSSOP8，适用于低压、中功率的电源开关和电路保护等应用。采用沟槽技术（Trench），具有低导通电阻和高电流能力。

### 二、详细参数说明

- **型号**：2508P-VB
- **封装**：TSSOP8
- **配置**：双P+P-沟道
- **漏源极电压 (VDS)**：-20V
- **栅源极电压 (VGS)**：20（±V）
- **阈值电压 (Vth)**：-1.2V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：18mΩ @ VGS=4.5V，13mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：-7.5A
- **技术**：沟槽技术（Trench）

### 三、应用领域和模块示例

1. **电池保护**：2508P-VB 可用于锂电池保护电路中，作为开关元件控制充放电过程，保护电池不受过充、过放等情况的损害。

2. **移动设备**：在手机、平板电脑等移动设备中，该MOSFET可以用于电源管理IC，提供高效的电源开关和保护。

3. **电源管理**：在需要高效能的电源管理系统中，2508P-VB 可以作为关键部件，实现对电路的高效能控制和保护。

4. **消费电子产品**：在电视、音响等消费电子产品中，该MOSFET可以用于功率放大器和开关电路，提供稳定可靠的功率输出。

5. **工业控制**：在工业控制系统中，2508P-VB 可以用于电机控制、电源开关等场合，提供高效能的电能转换和控制能力。

综上所述，2508P-VB 在低压、中功率应用领域有着广泛的应用前景，具有稳定可靠的性能和高效的电能转换能力。