### 一、产品简介
2508P-VB 是 VBsemi 生产的一款双P+P-沟道MOSFET,封装为TSSOP8,适用于低压、中功率的电源开关和电路保护等应用。采用沟槽技术(Trench),具有低导通电阻和高电流能力。
### 二、详细参数说明
- **型号**:2508P-VB
- **封装**:TSSOP8
- **配置**:双P+P-沟道
- **漏源极电压 (VDS)**:-20V
- **栅源极电压 (VGS)**:20(±V)
- **阈值电压 (Vth)**:-1.2V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:18mΩ @ VGS=4.5V,13mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:-7.5A
- **技术**:沟槽技术(Trench)
### 三、应用领域和模块示例
1. **电池保护**:2508P-VB 可用于锂电池保护电路中,作为开关元件控制充放电过程,保护电池不受过充、过放等情况的损害。
2. **移动设备**:在手机、平板电脑等移动设备中,该MOSFET可以用于电源管理IC,提供高效的电源开关和保护。
3. **电源管理**:在需要高效能的电源管理系统中,2508P-VB 可以作为关键部件,实现对电路的高效能控制和保护。
4. **消费电子产品**:在电视、音响等消费电子产品中,该MOSFET可以用于功率放大器和开关电路,提供稳定可靠的功率输出。
5. **工业控制**:在工业控制系统中,2508P-VB 可以用于电机控制、电源开关等场合,提供高效能的电能转换和控制能力。
综上所述,2508P-VB 在低压、中功率应用领域有着广泛的应用前景,具有稳定可靠的性能和高效的电能转换能力。