2SK2158A-T1B-A-VB一种N-Channel沟道SOT23-3封装MOS管

### 产品简介详

**2SK2158A-T1B-A-VB**是一款单N沟道MOSFET,由VBsemi公司生产,采用SOT23-3封装。具有60V的中等耐压、低导通电阻和高可靠性,适用于低功率应用场合。

### 详细参数说明

- **封装类型**: SOT23-3
- **配置**: 单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 60V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 
  - 3100mΩ @ VGS=4.5V
  - 2800mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 0.3A
- **技术**: Trench

### 应用领域和模块示例

**2SK2158A-T1B-A-VB**适用于低功率应用场合,具有中等耐压和低导通电阻。以下是几个具体的应用示例:

1. **低功率电源**:
   - **移动设备充电器**: 由于其小尺寸和低功率特性,该MOSFET可用于移动设备充电器中的电源管理模块,提供高效的电能转换。
   - **便携式电子设备**: 适用于便携式电子设备的电源管理模块中,提供稳定的电压和电流输出。

2. **信号开关**:
   - **信号开关模块**: 用于低功率信号开关模块中,提供稳定的信号传输和控制。
   - **低功率电路**: 在低功率电路中,该MOSFET可用于开关和调节电路,提供稳定的电气性能。

3. **LED控制**:
   - **LED驱动器**: 在低功率LED驱动器中,该MOSFET可用于控制LED的亮度和稳定性,提供高效的照明控制。
   - **LED灯带**: 适用于LED灯带中的电源控制模块,提供可靠的电源管理和长寿命的照明解决方案。

4. **传感器接口**:
   - **传感器信号处理**: 用于传感器信号处理模块中,提供稳定的信号传输和处理功能。
   - **低功率控制模块**: 在低功率控制模块中,该MOSFET可用于控制传感器的输出和信号处理。

**2SK2158A-T1B-A-VB**具有小尺寸、低功率和可靠性等特点,适用于许多低功率和便携式电子设备中的电源管理和信号控制应用。

评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值