2SK2569ZN-TR-E-VB一款N-Channel沟道SOT23-3的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 一、2SK2569ZN-TR-E-VB 型号的产品简介

2SK2569ZN-TR-E-VB 是一款单通道N型功率MOSFET，采用沟槽技术（Trench），具有较低的导通电阻和高电压承受能力。其封装形式为SOT23-3，适合在低压、低功率的功率控制和开关应用中使用。

### 二、2SK2569ZN-TR-E-VB 型号的详细参数说明

- **封装形式（Package）：** SOT23-3
- **配置（Configuration）：** 单N型通道（Single N-Channel）
- **漏源电压（VDS）：** 60V
- **栅源电压（VGS）：** ±20V
- **阈值电压（Vth）：** 1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 
  - 3100mΩ @ VGS=4.5V
  - 2800mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）：** 0.3A
- **技术（Technology）：** 沟槽（Trench）

### 三、适用领域和模块示例

2SK2569ZN-TR-E-VB 功率MOSFET适用于以下领域和模块：

1. **手机和移动设备：** 在手机和其他便携式设备中，2SK2569ZN-TR-E-VB 可用作电源管理和功率控制模块，提供高效、稳定的电源输出。

2. **LED照明驱动器：** 在低功率LED照明系统中，该MOSFET可用于功率控制模块，实现对LED灯的高效能控制和调节。

3. **便携式电子设备：** 该器件适用于便携式电子设备中的功率管理模块，如便携式音频设备、智能手表等，提供可靠的功率管理和控制。

4. **医疗设备：** 在低功率医疗设备中，2SK2569ZN-TR-E-VB 可用于功率控制和管理模块，确保设备稳定、高效地运行。

5. **传感器接口：** 2SK2569ZN-TR-E-VB 可用于传感器接口和信号调节模块，提供对传感器信号的稳定处理和控制。

综上所述，2SK2569ZN-TR-E-VB 具有较低的导通电阻和高电压承受能力，适用于各种低压、低功率的功率控制和开关应用领域。