### 一、2SK2569ZN-TR-E-VB 型号的产品简介
2SK2569ZN-TR-E-VB 是一款单通道N型功率MOSFET,采用沟槽技术(Trench),具有较低的导通电阻和高电压承受能力。其封装形式为SOT23-3,适合在低压、低功率的功率控制和开关应用中使用。
### 二、2SK2569ZN-TR-E-VB 型号的详细参数说明
- **封装形式(Package):** SOT23-3
- **配置(Configuration):** 单N型通道(Single N-Channel)
- **漏源电压(VDS):** 60V
- **栅源电压(VGS):** ±20V
- **阈值电压(Vth):** 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON)):**
- 3100mΩ @ VGS=4.5V
- 2800mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID):** 0.3A
- **技术(Technology):** 沟槽(Trench)
### 三、适用领域和模块示例
2SK2569ZN-TR-E-VB 功率MOSFET适用于以下领域和模块:
1. **手机和移动设备:** 在手机和其他便携式设备中,2SK2569ZN-TR-E-VB 可用作电源管理和功率控制模块,提供高效、稳定的电源输出。
2. **LED照明驱动器:** 在低功率LED照明系统中,该MOSFET可用于功率控制模块,实现对LED灯的高效能控制和调节。
3. **便携式电子设备:** 该器件适用于便携式电子设备中的功率管理模块,如便携式音频设备、智能手表等,提供可靠的功率管理和控制。
4. **医疗设备:** 在低功率医疗设备中,2SK2569ZN-TR-E-VB 可用于功率控制和管理模块,确保设备稳定、高效地运行。
5. **传感器接口:** 2SK2569ZN-TR-E-VB 可用于传感器接口和信号调节模块,提供对传感器信号的稳定处理和控制。
综上所述,2SK2569ZN-TR-E-VB 具有较低的导通电阻和高电压承受能力,适用于各种低压、低功率的功率控制和开关应用领域。