STD30NE06LT4-CMD30N06-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**产品简介：**
STD30NE06LT4-CMD30N06-VB是VBsemi品牌的N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有60V的额定电压和45A的额定电流。该器件采用TO252封装，具有低导通电阻和高效的功率管理能力，适用于各种功率控制和开关电路应用。

**详细参数说明：**
- 丝印：VBE1638
- 品牌：VBsemi
- 参数：
  - 通道类型：N沟道
  - 额定电压（VDS）：60V
  - 额定电流（ID）：45A
  - 导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ @ VGS=10V; VGS=20V
  - 阈值电压（Vth）：1.8V
- 封装：TO252

**应用举例：**
STD30NE06LT4-CMD30N06-VB适用于以下领域和模块：
1. 电源管理模块：可用于电源开关、直流-直流变换器和逆变器等模块，实现高效的功率转换和稳定的电源输出。
2. 电机驱动器：适用于各种类型的电机驱动器，如直流电机驱动器、步进电机驱动器和无刷直流电机驱动器等，提供可靠的电流调节和速度控制。
3. LED照明系统：可用于LED驱动器和照明系统中，实现LED灯具的调光和颜色控制，提高能效和降低能耗。
4. 汽车电子：适用于汽车电子控制单元（ECU）、车身电子模块和动力总成模块等，提供稳定的电源和精准的电流控制，确保汽车系统的安全可靠运行。